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パワーデバイス新製品の発売について

1995年4月17日

 当社は、インテリジェントパワーデバイス(IPD)の新製品として、回路設 計の最適化やBi−CMOS微細加工技術によるチップ面積の縮小により、ロー コスト化を実現した「TPD1025S」を開発し、7月からサンプル出荷を開 始します。

 サンプル価格は130円で、12月から月産3万個で量産を開始する計画です。


新製品の主な概要

 

    形   名    サンプル価格  量産開始   量産規模  

 TPD1025S  130円    12月  3万個/月 


開発の背景と狙い

 IPDは、スイッチングスピードの速く、かつ低損失化(低消費電力化)が可 能なパワーMOSFETとBi−CMOSプロセスを用いてリニア回路やデジタ ル回路を混載したコントロールICをワンチップ化したスイッチング素子です。
 現在、車載用途をはじめとして、OA機器やFA機器のソレノイドやモータド ライブのスイッチング部品として、メカリレーなどが用いられています。しかし、 実装面積の縮小やシステムの信頼性の向上の点から、部品の半導体化が求められ ており、車載用途をはじめとして、OA機器やFA機器へのIPDの採用が進ん でいます。                     
 また、メカリレーなどの他の部品に比べて高性能で、かつコスト面においても 同等程度のIPDが求められています。
 当社は、このようなニーズに対応するため、高性能で、かつローコスト化を実 現した新製品を商品化するものです。


新製品の主な特長

  1. 回路設計の最適化や微細加工技術によるチップ面積の縮小により、ローコス ト化を実現しています。

  2. パワーMOSFETのオン抵抗は0.3Ω(max.)で、過電流/過熱保 護機能を内蔵したハイサイドスイッチ(モータなどの駆動部とバッテリーの 間に配置するスイッチ)です。

  3. パッケージは、パワーデバイスとしては標準的なTO−220フルモードタ イプを採用しています。


新製品の主な仕様

 

 形  名         TPD1025S 

 ドレイン・ソース間電圧  60V 

 オン抵抗         0.3Ω(Max.) 

 外囲器          TO-220(NIS)5pin(フルモードタイプ)  

 内蔵機能         過電流保護、過熱保護 

 動作電源電圧       VDD=8〜18V 


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