プレスリリース (1995.4.17) | ニュース

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パワーデバイス新製品の発売について

1995年4月17日

　当社は、インテリジェントパワーデバイス（ＩＰＤ）の新製品として、回路設計の最適化やＢｉ－ＣＭＯＳ微細加工技術によるチップ面積の縮小により、ローコスト化を実現した「ＴＰＤ１０２５Ｓ」を開発し、７月からサンプル出荷を開始します。

　サンプル価格は１３０円で、１２月から月産３万個で量産を開始する計画です。

新製品の主な概要

 

　　  形   名　　　 サンプル価格 　量産開始  　量産規模　 

　ＴＰＤ１０２５Ｓ　　１３０円　  　１２月　　３万個／月

開発の背景と狙い

　ＩＰＤは、スイッチングスピードの速く、かつ低損失化（低消費電力化）が可能なパワーＭＯＳＦＥＴとＢｉ－ＣＭＯＳプロセスを用いてリニア回路やデジタル回路を混載したコントロールＩＣをワンチップ化したスイッチング素子です。
　現在、車載用途をはじめとして、ＯＡ機器やＦＡ機器のソレノイドやモータドライブのスイッチング部品として、メカリレーなどが用いられています。しかし、実装面積の縮小やシステムの信頼性の向上の点から、部品の半導体化が求められており、車載用途をはじめとして、ＯＡ機器やＦＡ機器へのＩＰＤの採用が進んでいます。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　また、メカリレーなどの他の部品に比べて高性能で、かつコスト面においても同等程度のＩＰＤが求められています。
　当社は、このようなニーズに対応するため、高性能で、かつローコスト化を実現した新製品を商品化するものです。

新製品の主な特長

回路設計の最適化や微細加工技術によるチップ面積の縮小により、ローコスト化を実現しています。
パワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗は０．３Ω（ｍａｘ．）で、過電流／過熱保護機能を内蔵したハイサイドスイッチ（モータなどの駆動部とバッテリーの間に配置するスイッチ）です。
パッケージは、パワーデバイスとしては標準的なＴＯ－２２０フルモードタイプを採用しています。

新製品の主な仕様

 

　形　　名　　　　　　　　　ＴＰＤ１０２５Ｓ 

　ドレイン・ソース間電圧　　６０Ｖ 

　オン抵抗　　　　　　　　　０．３Ω（Ｍａｘ．） 

　外囲器　　　　　　　　　　TO-220(NIS)5pin(フルモードタイプ)  

　内蔵機能　　　　　　　　　過電流保護、過熱保護 

　動作電源電圧　　　　　　　ＶDD＝８～１８Ｖ

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