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韓国・三星電子とのフラッシュメモリに関する提携について … 64MビットNAND型フラッシュメモリを共同開発 …

1995年4月18日

 当社は、本日、韓国・三星電子(本社:韓国ソウル市、代表理事副会長:金光 浩)と、64MビットNAND型フラッシュメモリ(電気的にデータの書き込み・ 消去が可能な不揮発性メモリ)を共同開発することで合意し、契約を締結しました。

 今回の合意に基づき、両社は0.4μmのCMOS微細加工技術を用いて、 3.3Vまたは5V単一動作で高速の書き込み・読み出しを実現する64Mビット NAND型フラッシュメモリを当社の半導体システム技術センター(川崎市)にお いて本年中に共同開発するもので、当社のサンプル出荷は来春を予定しています。
 両社は、同メモリのデザインルール、メモリセル、メモリ構成、チップサイズ、 機能、性能、動作電圧、パッケージなどの技術仕様を統一することにより、NAND 型フラッシュメモリ分野における協力関係をさらに深め、 業界の標準化を推進していきます。

 当社と三星電子は、平成4年にNAND型フラッシュメモリ事業に関する契約 を締結し、当社が16MビットNAND型フラッシュメモリおよび8年間の契約 期間中に開発するすべての標準型NAND型フラッシュメモリについて、技術仕 様や論理回路などの製品情報を三星電子に提供するとともに、業界の標準化を推 進していくこととしています。

 今回の合意は、NAND型フラッシュメモリ分野における両社の協力関係をさ らに深めることにより、ユーザに対する製品の安定供給を目指すものです。


背景と狙い

 フラッシュメモリは、電気的にデータの書き込み・消去が可能な不揮発性(電 源を切っても記憶した情報が消えず、再び電源を入れると情報が元どおり再現で きる)のメモリで、ハードディスクなどの記憶装置に比べ、(1)機器の小形化や 低消費電力化が大幅に図れる、(2)機械的部分がないため耐衝撃性に優れている、 (3)高速の情報処理が可能などの特長があり、これまでパソコンなどの主記憶や 外部記憶分野における需要を中心に普及が進んできました。
 同メモリは、今後ともモービルコンピューティングの進展や、音声・画像によ る機器の応用分野の拡大とともに、携帯情報端末をはじめプリンタ、複写機、フ ァクシミリなど各種装置への需要が期待され、データクエスト社による世界全体 の市場予測も1995年の約13億米ドルから、2000年には約62億米ドル へと急速に拡大すると見込まれていますが、そのためにも記憶容量の拡大とユー ザに対する安定的な供給体制の確立が求められています。

 当社は、このようなニーズに対応するため、今回の合意によりNAND型フラ ッシュメモリ分野における三星電子との提携関係をさらに強化したものです。

 これまで当社は、16MビットNAND型フラッシュメモリについては、市場 の拡大にともない逐次生産を拡大するとともに、フラッシュメモリカードなど同 メモリの応用製品の商品化にも注力してきました。
 また、32MビットNAND型フラッシュメモリについても、市場の立ち上が りに対応した商品化を図る準備を進めています。
 当社は、今回の合意で64MビットNAND型フラッシュメモリの開発効率を 高めることにより、同メモリについても市場の急速な拡大に対応する、タイムリ ーな事業展開を図っていく予定です。


<三星電子の概要>

 

 代表理事副会長 : 金 光浩 

 本社所在地   : ソウル特別市中区太平路2衝250番地 

 資本金     : 3,420億ウォン 

 従業員数    : 52,000名 

 事業内容    : 半導体、情報通信機器、家電製品の製造・販売 


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