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超LSIの研究開発棟の竣工について

1996年4月3日

 当社は、ギガビット世代のDRAMやフラッシュメモリ、システムLSIなどの 超LSIの開発を行う研究開発棟「アドバンスト・マイクロエレクトロニクス・ センター」の建設を進めてきましたが、このたび完成し、本日、竣工式を行います。

 当社は、昭和59年に超LSIの開発拠点を現在の研究開発センター内 (川崎市幸区)に建設し、メガビット世代のDRAMを始めとする超LSIの 研究開発を推進してきました。

 当社は、まず日米欧3社で共同開発した256メガビットDRAMを 新研究開発棟に移管し、256メガビットDRAMの開発を完成させるとともに、 1ギガビット世代の超LSIの開発、さらにそれを支える先端要素技術の研究開発を 推進していきます。

 新研究開発棟は、横浜事業所(横浜市磯子区新杉田8)内に建設したもので、 延床面積が約48,000平方メートル(鉄筋4階建て)で、0.25ミクロン以下の 微細加工が可能な開発試作設備、試作サンプルの評価を行うテスター、 分析設備などを導入し、最先端超LSIの開発を行います。

 新研究開発棟のクリーンルームは、クラス1(注)で、現在、半導体の 量産工場において用いられている8インチウェハを使用し、将来的には 12インチウェハにも対応していく予定です。

 また、新研究開発棟の試作ラインは、シリコンウェハ1枚毎に工程を管理する、 枚葉管理方式のシステムを導入しており、ロジックやメモリの異なる品種の 開発試作を同時に行うことができます。

 新研究開発棟の建設にともなう設備投資額は、建設費、設備費を含めて 約600億円です。当初、約600人の人員で研究開発を開始します。

 新研究開発棟では、設計技術・プロセス技術・デバイス技術を統合した 次世代CIMシステム(情報・通信技術を利用した統合生産システム)を 導入しています。このため、研究開発をはじめ、量産工場への製品移管・ 量産立ち上げをスムーズに効率よく行うことができます。

 当社は、新研究開発棟において次世代CIMシステムを確立し、四日市工場や 岩手東芝エレクトロニクスなど、量産工場へも順次展開していく計画です。

 当社は、平成4年には、米国IBM社および独シーメンス社と 256メガビットDRAMの共同開発を行うことで合意し、0.25ミクロンの プロセス技術の開発を共同で行っています。その成果として、昨年6月には 世界最小のチップ面積を実現するとともに、多ビット化にするなど商品化を 前提とした256メガビットDRAMをIBM(米国ニューヨーク州 イースト・フィッシュキル)ASTC(アドバンスト・セミコンダクタ・ テクノロジー・センター)で試作しています。

 また、当社は、マルチメディア時代に向けたシステムLSIの開発を 強化するとともに、最先端LSI開発の高度化・開発期間の短縮化に対応するため、 半導体研究開発体制の組織を変更しました。LSIコアの開発を全社的に サポートするため、Advanced−I事業本部に「戦略LSI企画室」を 設置するとともに、最先端LSI開発の高度化・開発期間の短縮化に対応するため、 マイクロエレクトロニクス技術研究所内に「デバイス技術研究所」、 「プロセス技術研究所」、「システムLSI技術研究所」を設置しました。

(注)クラス1・・・1立方フィート中に0.03ミクロン以上のゴミが1個以下


新研究開発棟の主な概要

所在地 横浜市磯子区新杉田8 横浜事業所内
延床面積 約48,000平方メートル(鉄筋4階建て)
投資額 約600億円
人員 約600人


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