量産プロセスの開発

　今回開発した半導体レーザは、独自の有機金属気相成長(MOCVD)技術で、超薄膜 ＧａＮ結晶の界面を最適に制御することによって、原子層オーダーの薄い層を積み 重ねる多重量子井戸(MQW)構造を実現しています。
　また、素子形成に適したＣ面サファイア基板を使ってＧａＮを結晶 成長させるとともに、この結晶面上では従来困難とされていた劈開（へきかい）を 可能とする技術を開発し、Ｃ面基板上のGaN結晶では初めて、劈開端面による 共振器鏡を作製することに成功しました。これは、ドライエッチング等による 端面形成に比べプロセスが簡略化されるため、実用化に適しています。

　今回のパルス発振成功で青紫色半導体レーザの見通しが得られたことにより、 高精細DVDの実現可能性が一挙に見えてきました。

（注）ナノメートル：１００万分の１ミリメートル

開発背景

　年内にも商品化が予定されているＤＶＤは、記録情報量がディスク片面で ４．７ギガバイトという大容量が実現されており、ディスクから情報を読み出す ピックアップ用光源として波長６５０ナノメートルの赤色半導体レーザが 使われています。
　２０００年にも実用化が期待されている次世代ＤＶＤとして、さらに高画質映像を 再生できる高精細化が検討されています。高精細化のためにはディスク片面 １５ギガバイトと、現在のＤＶＤの３倍以上の大容量化が必要とされており、 この実現のために波長４００～４３０ナノメートルの半導体レーザの開発が 鍵となっていました。

　今回、高精細DVDに使用できる波長域で、電流注入による室温パルス発振を 達成させたことは、次世代ＤＶＤ実現の可能性を大きく広げることになります。

今回開発した青紫色半導体レーザの主な特性は次のとおりです。