| 開発の背景と狙い ビデオカメラ用などの撮像素子として普及しているＣＣＤは、ＣＭＯＳプロセスと 異なるため、ＣＣＤ素子を周辺のＣＭＯＳ回路と同一チップ上に形成することが 困難でした。 またＣＣＤは、駆動電源として３電源必要なため、消費電力の点で課題がありました。 ＣＭＯＳイメージセンサは、ＣＭＯＳプロセスを用いているため、センサと 駆動回路、各種の信号処理回路をＣＭＯＳ回路としてワンチップに 集積できることから、カメラシステムなどの機器の小形化を実現できます。 またＣＭＯＳイメージセンサは、単一電源で駆動できるため、低消費電力化が 可能です。 撮像素子は、デジタル・スチル・カメラなどの小形の携帯情報端末機器に 用いる場合、小形・高集積化が求められるため、セルサイズを縮小する 必要があります。 当社は、このようなニーズに対応するため、回路構成の最適化によりセルサイズを 約３１平方ミクロンに微細化し、民生用途に適した４分の１インチサイズのＶＧＡ フォーマットに準拠した３３万画素のＣＭＯＳイメージセンサを開発しました。 本開発品は、２月６日から８日まで米国サンフランシスコで開催される ＩＳＳＣＣ９７（国際固体素子回路会議）で発表する予定です。 また、本開発品は、３月４日から９日まで有楽町駅前の東京国際フォーラムで 開催する「ＴＯＭＯＲＲＯＷ２１東芝技術展」 に出展する予定です。
|
 |
プレスリリース記載の情報(製品価格/仕様、サービスの内容、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。 | |