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4分の1インチ・33万画素のCMOSイメージセンサの開発について

1997年2月5日

 当社は、トランジスタとフォトダイオードとの組み合わせで1画素を構成する 撮像素子として、回路構成の最適化によりセルサイズを約31平方ミクロンに 微細化し、4分の1インチサイズを実現した33万画素のCMOSイメージセンサを 開発しました。

 本開発品は、CMOS回路を用いているため、CCDに比べて消費電力を 約10分の1に低減できるとともに、5ボルト単一電源で動作できます。

 また、本開発品は、640×480画素の VGAフォーマットに準拠しており、高画質を実現しています。


開発の背景と狙い
本開発品の主な特長
本開発品の主な仕様


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