開発の背景と狙い

 近年、映像・情報・通信が融合したマルチメディア化の進展や情報・通信機器の高性能化、 携帯情報機器の台頭にともない、大規模、高性能のASICが求められているとともに、 ワンチップでロジック機能とメモリ機能など複数の機能を集積することにより、 LSI間のデータ転送速度の短縮化や低消費電力化が実現でき、機器の小形軽量化やコストダウンに貢献できるシステムLSIへのニーズが高まっています。
 また、ASICは、その設計手法により、ゲートアレイ、エンベデッドアレイ、 セルベースICの3種類に分類され、当社としても従来は製品シリーズとして別々に提供してきました。 近年、LSIの高集積化が進むにつれて、システムのコアとなるメガセルの利用が不可欠となり、 セルベースICの比率が高まっていますが、ゲートアレイのように設計期間が短く比較的低い開発費でセルベースICのようなASIC を実現できる設計手法が求められています。 ゲートアレイとセルベースICを混載する手法としてエンベデッドアレイがありますが、 セル選択の自由度の少なさや消費電力の点で課題がありました。

 当社は、このようなニーズに対応するため、DRAMやRISCなどの大容量、 高集積LSIを搭載できるとともに、システムニーズに対応したフレキシブルなASICを実現できる新製品を商品化するものです。


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