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大規模DRAMやRISCなどを搭載できる0.25ミクロンのASIC新製品の発売について

1997年5月29日

 当社は、64メガビットDRAMなどのメモリや64ビットのRISCなどを搭載したシステムLSIを実現できる0.25ミクロンのASIC新製品「TC240シリーズ」を開発し、 本年10月から受注活動を開始し、12月からサンプル出荷します。

 当社は、新製品をシステムLSIの基盤技術と位置づけており、 メモリやロジックなどのコアセルを搭載することにより、さまざまなシステムLSIを商品化していきます。

 新製品のサンプル価格は、300万ゲート、月産1万個の場合4万円で、現在、 当社大分工場にて最先端設備の導入を進めている世界最大級のシステムLSI専用ラインにおいて、 来年5月から月産10万個規模で量産を開始する計画です。

 新製品は、0.25ミクロンのCMOS微細加工技術(実効ゲート長0.18ミクロン)や 素子間の分離領域を縮小できるシャロウ・トレンチ形素子分離技術、 5層アルミメタル配線技術の採用などにより、1平方ミリメートルあたり約3万5千ゲート(2入力NANDゲート換算)と、 当社従来比約3倍の高集積化を実現しています。新製品の搭載可能な最大ゲート数は、 1000万ゲート以上です。

 また、新製品は、業界で初めてゲートアレイセルとセルベースICセルの基本構造を同一にした「統合セルアーキテクチャ」を用いており、 設計期間の短縮化や開発費のコストダウンなどが可能で、 セルベースICセルをゲートアレイセルに容易に置き換えることができるなど、 フレキシブルなASICを実現することができます。

 システムLSIの開発には、コアセルは不可欠であり、当社は、 新製品に搭載可能なVSI(Virtual Socket InterfaceTM)準拠のコアセルのラインアップも拡充していく計画です。


新製品の概要
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新製品の主な特長
新製品の主な仕様
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