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世界最小のオン抵抗を実現した小形・薄形のパワーMOSFETの発売について

1997年9月10日

 当社は、携帯情報機器などのスイッチング制御やリチウムイオン電池の保護回路部用として使われるパワーMOSFETとして、 世界最小のオン抵抗7ミリオームを実現する「TPC8003」を開発し、 10月1日よりサンプル出荷を開始します。

 新製品は、サブミクロンのプロセス技術を用い、 トレンチ形状のゲート酸化膜構造を形成することによってゲート・ソース間の間隔を縮め、 ゲート・ドレイン・ソースの端子からなるセルの集積度を当社従来比3倍の3000万セル/平方インチにまで高めています。 これによって、各セル単位での抵抗を下げ、世界最小(当社従来比半分)のオン抵抗7ミリオームを実現しています。

 また、携帯情報機器の省スペース化に対応するために、 パッケージには小形・薄形のSOP8ピンタイプ(実装高さ1.5ミリ)を採用しています。


新製品の主な概要
開発の背景と狙い
新製品の主な特長
新製品の主な仕様
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