| 世界最小のオン抵抗を実現した小形・薄形のパワーＭＯＳＦＥＴの発売について 1997年9月10日
当社は、携帯情報機器などのスイッチング制御やリチウムイオン電池の保護回路部用として使われるパワーＭＯＳＦＥＴとして、 世界最小のオン抵抗７ミリオームを実現する「ＴＰＣ８００３」を開発し、 １０月１日よりサンプル出荷を開始します。 新製品は、サブミクロンのプロセス技術を用い、 トレンチ形状のゲート酸化膜構造を形成することによってゲート・ソース間の間隔を縮め、 ゲート・ドレイン・ソースの端子からなるセルの集積度を当社従来比３倍の３０００万セル／平方インチにまで高めています。 これによって、各セル単位での抵抗を下げ、世界最小（当社従来比半分）のオン抵抗７ミリオームを実現しています。 また、携帯情報機器の省スペース化に対応するために、 パッケージには小形・薄形のＳＯＰ８ピンタイプ（実装高さ１．５ミリ）を採用しています。
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