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動作速度を向上させた光ディスク用レーザ制御LSI新製品の発売について

1998年2月25日

 当社は、光ディスク装置の高速化・高密度化に対応した光ディスク記録用LSIの新製品として、 半導体レーザ制御LSI「TA8576AFN」と、 波形処理LSI「TA8577AF」を開発し、来月からサンプル出荷を開始します。

 新製品は、光ディスクに記録する情報の信号波形に基づき、 半導体レーザの出力を制御するLSIと、光ディスクへの記録信号の波形パターンを生成するLSIで、 当社独自の回路設計技術などを用いることによって、 2チップで光磁気ディスク(MO)をはじめ、 DVDなどの光ディスク装置全般のレーザ制御を行うことができます。

 新製品2品種は、高速バイポーラプロセスの採用によって、 半導体レーザへの信号立ち上がり/立ち下がり時間を従来の2.5ナノ秒から1.5ナノ秒に短縮させ、 光ディスクの高速・高密度化に対応しています。 また、半導体レーザ制御LSIについてはピン数の削減などによって、 パッケージ面積を従来の約3分の2(当社比)に小形化し、光ピックアップ部の小形化に対応しています。 波形処理LSIは、記録するデータの波形レベルを従来の3値から5値に細分化することなどによって、 光ディスクのさまざまな記録波形パターンを成形できます。


新製品の主な概要
開発の背景と狙い
新製品の主な特長
新製品の主な仕様
お問い合わせ先


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