当社は、光ディスク装置の高速化・高密度化に対応した光ディスク記録用ＬＳＩの新製品として、 半導体レーザ制御ＬＳＩ「ＴＡ８５７６ＡＦＮ」と、 波形処理ＬＳＩ「ＴＡ８５７７ＡＦ」を開発し、来月からサンプル出荷を開始します。

　新製品は、光ディスクに記録する情報の信号波形に基づき、 半導体レーザの出力を制御するＬＳＩと、光ディスクへの記録信号の波形パターンを生成するＬＳＩで、 当社独自の回路設計技術などを用いることによって、 ２チップで光磁気ディスク（ＭＯ）をはじめ、 ＤＶＤなどの光ディスク装置全般のレーザ制御を行うことができます。

　新製品２品種は、高速バイポーラプロセスの採用によって、 半導体レーザへの信号立ち上がり／立ち下がり時間を従来の２．５ナノ秒から１．５ナノ秒に短縮させ、 光ディスクの高速・高密度化に対応しています。 また、半導体レーザ制御ＬＳＩについてはピン数の削減などによって、 パッケージ面積を従来の約３分の２（当社比）に小形化し、光ピックアップ部の小形化に対応しています。 波形処理ＬＳＩは、記録するデータの波形レベルを従来の３値から５値に細分化することなどによって、 光ディスクのさまざまな記録波形パターンを成形できます。

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新製品の主な概要

開発の背景と狙い

新製品の主な特長

新製品の主な仕様

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