プレスリリース (1998.3.25-2)3 | ニュース

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新製品の主な特長

昇圧回路や膜厚の最適化などにより、１６メガビットフラッシュメモリとして１．８ボルトの低動作電圧を実現しています。これにより、消費電力を当社従来比で約３分の１低減することができます。
０．４マイクロメートルのＣＭＯＳ微細加工技術を採用しており、データの処理速度として、１．８ボルト時で１５０ナノ秒（２．４ボルト時で１００ナノ秒）が可能です。
データの書き込みや消去の実行や検証などの処理をメモリ内部で自動的に行うことのできるオートモード方式を採用しています。これによりＣＰＵとのインターフェイスを容易に行うことができ、実装ボード上での書き込みおよび消去の制御が行うことができます。
パッケージには、メモリの構成に応じて、４８ピンＴＳＯＰと４０ピンＴＳＯＰの２種類を揃えています。

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