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業界一の薄形化を実現したパワーMOSFETの発売について

1998年3月5日

 当社は、リチウムイオン二次電池の過電流保護や各種携帯情報機器のスイッチング制御用のパワーMOSFETとして、 当社独自技術であるトレンチ(溝)形状のゲート酸化膜構造を用いることなどによって、 業界で最も薄いパッケージ厚1.0ミリメートルを実現した「TPCS8201」を開発し、 本日からサンプル出荷を開始します。

 新製品は、ゲートとソースの間隔を縮小できるトレンチ構造の採用によって、 素子の集積度を1平方インチあたり3,000万セルに高密度化し、 オン抵抗を30ミリオームに低減しながら、 従来に比べてパッケージ厚を0.2ミリメートル薄形化(当社比)、 実装面積を約65%小形化(当社比)しており、携帯機器の小形化を実現できます。 さらに、新製品は、2回路を1チップに内蔵しており、 リチウムイオン二次電池の充電・放電に併用できるなど、部品点数の削減が可能になります。


新製品の主な概要
開発の背景と狙い
新製品の主な特長
新製品の主な仕様
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