プレスリリース (1998.10.2-1)4 | ニュース

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新製品の概要

低消費電力の実現

(1)	６００ＶタイプについてＩＰＭやＩＧＢＴを構成するチップにトレンチゲート構造を採用することでの１．６Ｖ標準と当社従来比で約３０％のオン電圧の低減を実現しています。
(2)	１２００Ｖタイプについて定格電圧１２００Ｖに対応させるために、コレクター層を厚くするノンパンチスルー（ＮＰＴ）構造の薄形プレーナタイプのチップを採用し、あわせてパターンの微細化を図ることでオン電圧の低減（当社従来比２０％低減）を実現しています。

オン電圧比較

小形化の実現
モジュール内部の配線を立体構造化させるとともに、チップを実装する基板面との密着性を損なわないスクラブレスチップマウント方式を採用することで、絶縁セラミックス基板の最小化を図っています。これにより、パッケージサイズを当社従来比の約半分にまで小形化させることを実現しています。　

定格６００Ｖ／２００Ａの場合
ＥＭＩノイズの低減
パッケージ内部のフリーホイリングダイオードがオフした瞬間に発生する逆電流の変化率を低減（逆回復特性の改善）することで、機器の誤動作などの原因となるＥＭＩノイズを低減しています。
豊富なラインアップ
今回、小形化を図った５種類の新パッケージで、６００Ｖタイプ、１２００Ｖタイプともに５０Ａから６００Ａまで対応できる計１７品種（ＩＰＭ１５品種、ＩＧＢＴ２品種）をラインアップとしてそろえています。ＩＧＢＴにおいては、並列に接続して使用することで、数キロワットから、大形電力装置などのメガワットクラスの機器の制御にまで対応させることが可能です。

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