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低消費電力化・小形化を実現したSRAMの発売について

1998年10月13日

 当社は、微細プロセスの採用や完全CMOS(相補型金属酸化膜半導体)化などによって、 待機時電流0.1マイクロアンペアの低消費電力化とパッケージサイズの小形化を実現した4メガビットスタティックRAM(SRAM) 「TC55V400FT」など4品種および2メガビットSRAM「TC55V200FT」など4品種を開発し、 本日からサンプル出荷を開始します。

 新製品は、従来に比べて待機時電流を約20分の1(当社比)に、 パッケージサイズを約6割(当社比)に削減しています。

 今回の新製品に採用したパッケージおよび規格については、 日本電気株式会社と基本仕様の共通化で合意したものです。
 また、今回開発したSRAMは、本年9月に富士通株式会社、 日本電気との間で基本仕様を共通化したフラッシュメモリとSRAMを内蔵するスタック(積み重ね)型マルチ・チップ・パッケージ(S−MCP)にも対応しています。


新製品の主な概要
開発の背景と狙い
新製品の主な特長
新製品の主な仕様
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