当社は、微細プロセスの採用や完全ＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）化などによって、 待機時電流０．１マイクロアンペアの低消費電力化とパッケージサイズの小形化を実現した４メガビットスタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ） 「ＴＣ５５Ｖ４００ＦＴ」など４品種および２メガビットＳＲＡＭ「ＴＣ５５Ｖ２００ＦＴ」など４品種を開発し、 本日からサンプル出荷を開始します。

　新製品は、従来に比べて待機時電流を約２０分の１（当社比）に、 パッケージサイズを約６割（当社比）に削減しています。

　今回の新製品に採用したパッケージおよび規格については、 日本電気株式会社と基本仕様の共通化で合意したものです。
　また、今回開発したＳＲＡＭは、本年９月に富士通株式会社、 日本電気との間で基本仕様を共通化したフラッシュメモリとＳＲＡＭを内蔵するスタック（積み重ね）型マルチ・チップ・パッケージ（Ｓ－ＭＣＰ）にも対応しています。

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新製品の主な概要

開発の背景と狙い

新製品の主な特長

新製品の主な仕様

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