プレスリリース (1999.4.8)3 | ニュース

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新製品の主な特長

クロックの立ち上がりと立ち下がりの両方のタイミングでデータの入出力を行うＤＤＲ機能を搭載しています。立ち上がりのみを使う従来のシングルデータレート方式（シンクロナスＤＲＡＭ）と比較してデータ転送速度が２倍になりました。
０．２０マイクロメートルのＣＭＯＳ微細加工技術を採用することにより、ピンあたり毎秒２８６メガビットの高速データ転送を実現しました。
８メガワード４バンク４ビット構成をはじめとする３種類をラインナップとしてそろえており、各種類毎に毎秒２８６メガビットと毎秒２５０メガビットの転送速度の製品を準備しています。

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