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業界最高レベルの動作速度を実現した9メガビットNtRAM(TM) (シンクロナスSRAM)の商品化について

1999年6月15日

 当社は、高速アクセスと高いデータ転送レートが必要なサーバやルータなどのネットワーク機器などに最適な、 業界最高レベルの150メガヘルツの動作周波数に対応した9メガビットNtRAMTM*1(シンクロナスSRAM)「TC55VD836FF−150」など10品種を開発し、 本日からサンプル出荷を開始します。サンプル価格は、いずれも7,000円です。

 新製品は、業界最高レベルの150メガヘルツまでの動作周波数の「TC55VD836FFシリーズ」と「TC55VD818FFシリーズ」の6品種、 83メガヘルツまでの「TC55VL836FFシリーズ」と「TC55VL818FFシリーズ」の4品種で、 今秋から月産10万個規模で量産を開始します。

 NtRAMTMは、従来主流であったパイプラインバーストSRAM(PBSRAM)と比べて、 読み出しサイクルから書き込みサイクルへの切り替え時に発生するクロックサイクルの無駄を省く機能を採用することで、 同一周波数のPBSRAMに比べ最大で2倍のデータ転送レートを実現することができます。
*1:No Turnaround RAM の略。 韓国の三星電子が開発した、メモリへの書き込みと読み出しのタイミングを最適化することで高速動作を実現できる新しいシンクロナスSRAMのこと。


新製品の概要
商品化の背景とねらい
新製品の主な特長
新製品の主な仕様
お問い合わせ先


NtRAMTMは、韓国三星電子の商標です。

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