| 開発の背景とねらい 非同期タイプのＳＲＡＭへの需要は、 電話交換機やメモリテスタなどの産業用機器を中心に堅調に推移しています。 その中で、近年の各種産業用機器の高性能、高機能化に伴って、 これらの機器に高速バッファメモリとして搭載されるＳＲＡＭにおいても大容量化、 アクセス時間の高速化などが求められる傾向にあります。 当社は、このようなニーズに対応し、０．２５μｍのＣＭＯＳプロセスを採用するとともに、 回路構成の最適化を行なうことなどにより、 非同期タイプのＳＲＡＭとしては業界最大の１６メガビットのメモリ容量を実現した高速ＳＲＡＭを商品化するものです。
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