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256メガビットのシンクロナスDRAMの商品化について

1999年9月1日

0.175μmCMOSプロセスを採用

 当社は、シンクロナスタイプのDRAMの新製品として、 256メガビットの大容量化を実現した「TC59SM816BFT」など6モデル18品種を開発し、 本日よりサンプル出荷を開始し、12月には月産50万個の規模で量産を行なう予定です。

 新製品は、0.175μmのCMOSプロセスを採用するとともに、 回路構成の最適化などにより大容量化を図るとともに、 動作周波数を最大143メガHzとすることでデータ転送スピードの高速化にも対応しています。 (PC133仕様でCAS Latency 2クロックに対応)。

 これらにより、ワークステーションやサーバーの大容量化・高性能化、 ノートパソコンの小形化・低消費電力化などを図ることが可能です。

 また当社は、低電圧タイプ(電源電圧2.5V)も今後商品化していきます。

PC133仕様準拠@2-2-2/CL-tRCD-tRP


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