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パワーMOSFETの新製品の発売について

1999年9月30日

オン抵抗の低減により、各種携帯情報機器の低消費電力化を実現できる

 当社は、各種携帯情報機器のスイッチング制御やリチウムイオン二次電池の過電流保護用に使われるパワーMOSFET*1の新製品として、 オン抵抗を13ミリオーム(当社従来比約4分の3*2)に低減することで、 機器の低消費電力化を図ることのできる「TPCS8204」を開発し、 本日からサンプル出荷を開始します。

 新製品は、トレンチ(溝)形状のゲート酸化膜構造を採用することなどによりゲートとソースの間隔を縮小しています。 これにより素子の集積度を向上(1平方インチあたり1億セル)し、 オン抵抗の低減(13ミリオーム)を実現しています。

 また、小形・薄形のTSSOP8ピン*3のパッケージに2つの回路を内蔵することで、 リチウムイオン2次電池の充電・放電の両方に対応できるので、 部品点数の削減による機器の小形・薄形化を図ることができます。

*1MOSFET・・・Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transisorの略。MOS形電界効果トランジスター。
*2当社従来機種「TPCS8203」との比較。
*3TSSOP ・・・Thin Shrink Small Out−line Packageの略。


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