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NAND型フラッシュメモリ事業に関する提携について

1999年10月7日

サンディスク コーポレーション
株式会社 東芝

 株式会社東芝(本社:東京都港区、代表者:取締役社長 西室泰三)と米国・サンディスクコーポレーション(本社:米国・カリフォルニア州サニーベール市、 代表者:CEOエリ・ハラリ)は、次世代の大容量NAND型フラッシュメモリの共同開発と1月を目処に製造合弁会社を設立することで本日基本合意に達しました。

 今後両社は、次の内容について協力していきます。
(1)東芝の微細化技術(0.16μm、0.13μm) や埋め込み素子分離技術(STI)などの製造技術とサンディスク社の多値化技術による次世代の大容量フラッシュメモリ(512メガビット、1ギガビット)及びSDメモリーカード用コントローラの共同開発
*STI・・・Shallow Trench Isolationの略
(2)折半出資による製造合弁会社の設立と、東芝の国内外のメモリ生産拠点(四日市工場、ドミニオン・セミコンダクタ社)を活用した両親会社への製品の供給

 フラッシュメモリはデジタルスチルカメラ、 シリコンオーディオなど各種デジタルAV機器やデジタルネットワーク機器向けに今後、急激な需要の拡大が期待されています。 今回の提携により、フラッシュメモリのパイオニアである両社が、 開発と生産を共同して行うことによって、次世代大容量フラッシュメモリの開発促進と安定的な供給体制を構築していきます。

 なお、新会社は、今回の2社と松下電器産業株式会社とで共同で開発を進めるSDメモリーカードや、スマートメディア、 その他のメモリーカード向けに幅広くNANDメモリを供給していきます。

新会社の概要
設 立2000年1月(予定)
資本金両社折半
*新会社名、代表者、所在地、従業員などは未定


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