1. 業界で初めて大容量の８メガビットＳＲＡＭと６４メガビットのＮＯＲ型フラッシュメモリをスタック型ＭＣＰに搭載しています。 これにより携帯電話などの機器の小形・薄形を図ることが可能です。

2. パッケージには、５６ボールの小形ＢＧＡパッケージ（外形サイズ：９ｍｍ１２ｍｍ）を採用しています。

3. 富士通株式会社／ＮＥＣ／東芝の３社共同で仕様の共通化をすすめるスタック型ＭＣＰ仕様案に準拠しています。

８メガビットＳＲＡＭ

1. ０．２２μｍのＣＭＯＳプロセスや当社独自の埋め込み素子分離技術（Ｓｈａｌｌｏｗ 　Ｔｒｅｎｃｈ　Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）を採用しています。

2. 携帯電話などで同時に使用されることの多いＮＯＲ型フラッシュメモリとピン配置を共通化させています。 これにより取りつける基板の設計を容易にすることが可能です。

3. 機器の処理速度の高速化にあわせて、アクセスタイムの高速化（５５ナノ秒）を実現しています。

4. 低消費電力化を実現するためにスタンバイ電流を０．５μＡにしています（当社従来の４メガビットタイプ品と同等）。