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最先端システムLSI製造棟の建設について

2000年4月18日

 当社は、システムLSIの生産拠点である大分工場に、 0.18μmを中心とする最先端システムLSIに対応する新製造棟(アネックス棟)を建設します。 新製造棟にかかわる最終投資額は1,000億円超を見込んでおり、 今年度は第1期分として約300億円の投資を行ないます。

 新棟は最先端システムLSIに必要とされる多層配線工程専用の製造棟で、 7月から着工、来年4月から本格稼動を開始します。 これにより、大分工場における0.18μmを中心とする最先端システムLSIの生産能力は 現状の月産12,500枚(8インチウェーハ)から、 新棟のフル稼動時には月産35,000枚まで拡大することとなります。

 現在、当社は既存のシステムLSI製造棟(150棟)内で、 下地処理工程(*)と多層配線工程の両方を行なっています。 今回の新製造棟の建設によって既存棟で行なっていた多層配線工程を段階的に新棟に移設し、 将来的には既存製造棟を下地処理専用棟、新棟を多層配線専用棟として活用していきます。
 今回の第一期投資分には、新棟建設と多層配線設備の導入および既存棟への下地処理設備の増強分が含まれ、 これに伴う生産能力は17,500枚まで向上することとなります。

 今後、当社はMPEG4やブルートゥース、 DVD−ROMなどをはじめとする各種モバイル機器やデジタル家電向けの最先端システムLSIに注力するとともに、 アウトソーシングを積極的に導入していくことなどにより、 システムLSIの事業規模を99年度4,000億円から2002年度には7,000億円へと拡大する計画です。

(*)下地処理工程:シリコン基板にトランジスタやダイオードなどの素子を形成するための工程


設備投資の目的
新製造棟の特長
新製造棟の概要
大分工場の概要


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