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半導体メモリ分野における共同開発について

2000年5月8日

株式会社 東芝
富士通株式会社
ウインボンド・エレクトロニクス社

 株式会社東芝と富士通株式会社と台湾のウインボンド・エレクトロニクス社(華邦電子公司、本社:台湾 新竹科学工業園区)は、 最先端DRAM技術の開発を共同で行うことで合意しました。 次世代の超LSIをターゲットとした0.13μmおよび0.11μmのDRAM技術について共同開発契約を3社で締結し、 2001年末を目処に1ギガビットDRAMの開発を進めていきます。

 これまで東芝と富士通は、両社で0.13μmDRAM技術の共同開発を進めてきましたが、 今回新たにウインボンド・エレクトロニクス社を加え、さらにその先の0.11μmまでをターゲットとして最先端DRAM技術の3社共同での開発を行います。

 今回の契約に基づき、3社は東芝のアドバンスト・マイクロエレクトロニクス・センター(横浜市)に研究者を集結し、 同センターの最先端の半導体開発設備を用いて、高集積素子の製造に必要な 0.13μmと0.11μmのプロセス技術、 デバイス技術の開発および1ギガビットDRAM世代の製品設計・試作を行います。

 開発にあたっては、東芝と富士通の2社による合計約100人規模の研究者に、 今回新たにウインボンド・エレクトロニクス社から約30名規模の研究者を加え、 総開発費300億円以上を投入して共同開発を進めます。

 メモリ事業を取り巻く市場環境は、競争の激化による価格の著しい下落など厳しさを増してきており、 今後の事業展開においては、製品のコスト競争力がますます重要になってきます。 このような背景のもと、1ギガビットDRAM世代の製品で不可欠となる超微細プロセス・デバイス技術の実現には、 多くの技術的なブレークスルーが必要です。今回の提携により、3社の技術力を結集し、開発スピードを加速させ、 より早期の開発成果を目指していきます。また、最先端の半導体技術を開発するためには、膨大な開発費と人的リソースを必要としますが、 3社でこれらを分担することによって、より効率的な開発を行うことができます。

 さらに、DRAMの開発においてコア技術となるプロセス技術は、半導体技術の進歩の先導役として位置づけられており、 メモリ分野だけでなくシステムLSIやマイクロプロセッサをはじめとする様々な半導体部品にも適用することが可能です。 今回の共同開発の成果をもとに、半導体メモリやネットワーク機器・コンピュータなどを構成する最先端LSIの開発を加速することで、 産業基盤の発展に貢献できるものと確信しています。


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