プレスリリース (2000.7.17)2 | ニュース

このページでは JavaScript を使用している部分があります。お使いのブラウザーがこれらの機能をサポートしていない場合、もしくは設定が「有効」となっていない場合は正常に動作しないことがあります。

新製品の主な特長

ＤＤＲ－ＦＣＲＡＭについて
チップ内部で活性化するメモリー領域を絞り込むことで従来のＤＲＡＭコアに対して３０％の低消費電力を実現、かつＦＣＲＡＭコア技術を用いる事により、３０ナノ秒の高速コアサイクルタイムを実現しました。ＳＲＡＭの性能にせまる大容量メモリを実現し、高速ランダムアクセスを多用するシステムに最適です。
ライトデータマスク機能を持つＤＭ（Ｄａｔａ　Ｍａｓｋ）ファンクション品と、ライトバースト長をライトコマンドで制御するＶＷ（Ｖａｒｉａｂｌｅ　Ｗｒｉｔｅ　Ｌｅｎｇｔｈ）ファンクション品とをラインナップしています。
ダイレクトラムバスＤＲＡＭについて
動作周波数８００メガヘルツ、データ転送速度毎秒１．６ギガバイトの高速動作が可能で、高性能パソコンや大容量高速データ処理を要するグラフィックスやネットワーク機器に対応できます。また２８８メガビット（ｘ１８）ＥＣＣ（Ｅｒｒｏｒ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｎｇ　Ｃｏｄｅ）対応品と２５６メガビット（ｘ１６）品をサポートします。
ＤＤＲ－ＳＤＲＡＭについて
クロックの立ち上がりと立ち下がりの両方のタイミングでデータの入出力を行うＤＤＲ機能を搭載しています。立ち上がりのみを使う従来のシングルデータレート方式ＳＤＲＡＭと比較してデータ転送速度が２倍になります。

プレスリリース記載の情報(製品価格/仕様、サービスの内容、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。