新製品の概要

  1. 256メガビットDDR-FCRAM
    プロセス: 0.175ミクロン CMOS
    電源電圧: 2.5V +- 0.2V
    パッケージ: 0.65mm ピッチ 66ピン 400ミル プラスチックTSOP
    インターフェース: SSTL-2
    最大データ転送速度: 22タイプ
    308Mbps (CASレイテンシ = 3)
    266Mbps (CASレイテンシ = 2)
    24タイプ 286Mbps (CASレイテンシ = 3)
    250Mbps (CASレイテンシ = 2)
    30タイプ 250Mbps (CASレイテンシ = 3)
    200Mbps (CASレイテンシ = 2)

    256メガビットDDR-FCRAM(DM ファンクション品)

    DM: Data Mask

    256メガビット DDR-FCRAM(VW ファンクション品)

    VW: Variable Write Length

  2. 288/256メガビット ダイレクトラムバスDRAM
    プロセス: 0.175ミクロン CMOS
    電源電圧: 2.5V +- 0.13V
    パッケージ: 92 ピン CSP (0.8mm X 0.8mm ピッチ)
    インターフェース: RSL(Rambus Signaling Level)
    最大データ転送周波数: 8タイプ 800MHz
    7タイプ 711MHz
    6タイプ 600MHz

  3. 256メガビットDDR-SDRAM
    プロセス: 0.175ミクロン CMOS
    電源電圧: 2.5V +- 0.2V
    パッケージ: 0.65mm ピッチ 66ピン 400ミル プラスチックTSOP
    インターフェース: SSTL-2
    最大データ転送速度: 70タイプ 286Mbps (CASレイテンシ = 2.5)
    266Mbps (CASレイテンシ = 2)
    75タイプ 266Mbps (CASレイテンシ = 2.5)
    250Mbps (CASレイテンシ = 2)
    80タイプ 250Mbps (CASレイテンシ = 2.5)
    200Mbps (CASレイテンシ = 2)


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