当社は、ゲート長０．１１ミクロンの７層Ｃｕ配線プロセスを導入することで従来製品^＊ に比べ約３０％の高速化と約１．７倍のゲート集積化を実現した高性能システムＡＳＩＣ「ＴＣ２８０ファミリー」を開発しました。 設計受付は２００１年第１四半期から開始し、第２四半期からサンプル出荷を行います。 また、新ファミリーに混載可能なＤＲＡＭコアＩＰもあわせて製品化します。

　「ＴＣ２８０ファミリー」は、高速性能が求められるネットワークや通信分野をはじめ、 ＰＤＡ、携帯端末、映像・音声情報等のデジタル・マルチメディア機器分野など広範な分野において、 次世代・次々世代製品の開発に適したシステムＡＳＩＣです。

　また、新ファミリーは、ロジック・プロセスと、アナログ・コア、 ＤＲＡＭコアとの混載を最適化した当社最新ＣＭＯＳプロセス「ＣＭＯＳ３」を採用していますので、 ＤＲＡＭ混載可能ＡＳＩＣとしては業界最高水準の性能を実現できます。 当社は、蓄積された混載技術と豊富なＩＰによりトータル・システム・ソリューションを目指します。

---

新製品の概要

開発の背景と狙い

新製品の主な特徴

新製品の主な仕様

お問い合わせ先