東芝トップページ お問い合わせ
新着情報  発表月別  テーマ別
ゲート長0.11ミクロンの高性能システムASIC新製品の発売について

2000年9月25日

7層Cu配線プロセス、low−k絶縁材料を採用

 当社は、ゲート長0.11ミクロンの7層Cu配線プロセスを導入することで従来製品 に比べ約30%の高速化と約1.7倍のゲート集積化を実現した高性能システムASIC「TC280ファミリー」を開発しました。 設計受付は2001年第1四半期から開始し、第2四半期からサンプル出荷を行います。 また、新ファミリーに混載可能なDRAMコアIPもあわせて製品化します。

 「TC280ファミリー」は、高速性能が求められるネットワークや通信分野をはじめ、 PDA、携帯端末、映像・音声情報等のデジタル・マルチメディア機器分野など広範な分野において、 次世代・次々世代製品の開発に適したシステムASICです。

 また、新ファミリーは、ロジック・プロセスと、アナログ・コア、 DRAMコアとの混載を最適化した当社最新CMOSプロセス「CMOS3」を採用していますので、 DRAM混載可能ASICとしては業界最高水準の性能を実現できます。 当社は、蓄積された混載技術と豊富なIPによりトータル・システム・ソリューションを目指します。

99年7月に当社が受注開始した「TC260ファミリー」との比較。


新製品の概要
開発の背景と狙い
新製品の主な特徴
新製品の主な仕様
お問い合わせ先


プレスリリース記載の情報(製品価格/仕様、サービスの内容、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。

▲プレスリリースのトップへ

東芝トップページ 個人情報保護方針 Copyright