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東芝とソニー・コンピュータエンタテインメント0.13マイクロメートル世代「DRAM混載ロジックプロセス」で提携

2001年3月12日

株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント
株式会社東芝

 株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント(以下、SCEI)および株式会社東芝(以下、東芝)は、 「プレイステーション」(以下、PS)および「プレイステーション 2」 (以下、PS2)向け半導体製造に関する0.13μm世代「DRAM混載ロジックプロセス」の技術提携に基本合意致しました。

 DRAMと高速ロジック回路を単一のシリコン上に集積することにより、 ロジックとメモリが別々のチップとして存在していた場合には実現できなかった巨大なメモリバンド幅の確保や、 斬新なアーキテクチャの導入、低消費電力化、高速化、複数個に分散しているICの1チップ化などが可能になります。

 東芝は、0.13μm世代の「DRAM混載ロジックプロセス」技術を既に確立しており、 PSおよびPS2は、それぞれこのDRAM混載プロセスを活用し、 極めて高いパフォーマンスを実現したままチップの更なる集積化を志向しています。 全世界に向けて大量に消費されるPSおよびPS2の半導体は、 「DRAM混載ロジックプロセス」の大きなアプリケーションの一つに育っています。

 今回の東芝とSCEIの0.13μm世代「DRAM混載ロジックプロセス」に関する技術提携の詳細は、 今後両社の間で詰めてまいります。これまでのPS用グラフィックス・プロセッサ(GPU)の開発と生産、 PS2のCPU「エモーションエンジン」共同開発および合弁で設立した株式会社大分TSセミコンダクタのオペレーションなど両社の関係を更に強化するものと期待しています。


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