株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント（以下、ＳＣＥＩ）および株式会社東芝（以下、東芝）は、 「プレイステーション」（以下、ＰＳ）および「プレイステーション ２」 （以下、ＰＳ２）向け半導体製造に関する０．１３μｍ世代「ＤＲＡＭ混載ロジックプロセス」の技術提携に基本合意致しました。

　ＤＲＡＭと高速ロジック回路を単一のシリコン上に集積することにより、 ロジックとメモリが別々のチップとして存在していた場合には実現できなかった巨大なメモリバンド幅の確保や、 斬新なアーキテクチャの導入、低消費電力化、高速化、複数個に分散しているＩＣの１チップ化などが可能になります。

　東芝は、０．１３μｍ世代の「ＤＲＡＭ混載ロジックプロセス」技術を既に確立しており、 ＰＳおよびＰＳ２は、それぞれこのＤＲＡＭ混載プロセスを活用し、 極めて高いパフォーマンスを実現したままチップの更なる集積化を志向しています。 全世界に向けて大量に消費されるＰＳおよびＰＳ２の半導体は、 「ＤＲＡＭ混載ロジックプロセス」の大きなアプリケーションの一つに育っています。

　今回の東芝とＳＣＥＩの０．１３μｍ世代「ＤＲＡＭ混載ロジックプロセス」に関する技術提携の詳細は、 今後両社の間で詰めてまいります。これまでのＰＳ用グラフィックス・プロセッサ（ＧＰＵ）の開発と生産、 ＰＳ２のＣＰＵ「エモーションエンジン」共同開発および合弁で設立した株式会社大分ＴＳセミコンダクタのオペレーションなど両社の関係を更に強化するものと期待しています。