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次世代システムLSIにおけるプロセス技術の共同開発について

2001年5月17日

ソニー株式会社
株式会社 東芝

 ソニー株式会社(以下ソニー)と株式会社東芝(以下東芝)は、0.10μm/0.07μm世代のシステムLSIにおける最先端プロセス技術および設計技術を共同開発することで合意しました。 両社は、低消費電力・高性能を実現するプロセスおよびデバイス技術の早期確立を目指し、各々において競争力ある商品開発に応用します。

 AV機器のデジタル化やネットワーク対応などにより、機器の心臓部となるシステムLSIには、一層の高性能化や高機能化、低消費電力化が求められています。 そのため、最先端システムLSIにおいては、低消費電力化や高性能化などを実現する、次世代プロセスによる微細化、高集積化技術やプロセスにリンクした設計技術を開発することが必要となります。

 東芝とソニーは、プロセス・デバイス技術に求められている低消費電力・高性能という特性別展開の必要性を認識し、この度の提携に至ったものです。

 共同開発では、両社の民生用を中心としたシステムLSIの最先端技術や設計ノウハウを結集し、次世代のシステムLSIに用いられる0.10/0.07μmプロセスの早期確立を図ります。 これにより、両社それぞれにおいて、画像処理などを高速で行なうメモリ混載ハイパフォーマンスLSIや、モバイル用途向け低消費電力型メモリ混載LSIなどの最先端システムLSIを開発、魅力ある製品開発に応用します。

 共同開発は、今月から2003年度末の期間で東芝のアドバンストマイクロエレクトロニクスセンターにて開発費約150億円を投入して行う予定で、本センターに両社あわせて約130名の技術者を集結し実施します。


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