当社が独自に開発したＳｉＧｅエピベースバイポーラトランジスタプロセス(オンウェハでの遮断周波数：ｆＴ＝６０ＧＨｚ)を採用し、従来化合物系半導体でしか成し遂げられなかった超低雑音を実現しています。

低雑音タイプ「ＭＴ４Ｓ１００Ｕ」は、耐圧（ＶＣＥＯ）で３．５Ｖを維持しつつ、２ＧＨｚでＳｉ系バイポーラトランジスタとしては世界最高レベルの低雑音であるＮＦ＝０．７ｄＢ（ＶＣＥ＝２Ｖ、Ｉｃ＝５ｍＡ）を実現しました。

高利得タイプの「ＭＴ４Ｓ１０１Ｕ」は、電力利得Ｓ２１＝1７.５ｄＢ（Ｉｃ＝２０ｍＡ）を実現しています。

外囲器は４ピン面実装小型パッケージであるＵＳＱを採用し、更なる小型パッケージへの展開も行います。