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世界最高レベルのシリコンゲルマニウム・トランジスタの商品化について

2001年9月12日

高性能・高信頼性・低電力性に優れたシリコンゲルマニウム市場に参入

 当社は、高性能・高信頼性・低電力性に優れたシリコンゲルマニウム(SiGe)エピタキシャル技術を駆使し、世界最高レベルの超低雑音を実現した高周波トランジスタ「MT4S100」など2品種を商品化します。 新製品の投入により、今後、移動体通信向けなどで需要の拡大が見込まれるSiGeトランジスタ市場に参入します。

 SiGeヘテロジャンクショントランジスタは、価格競争力のあるシリコン基板を用いながら高性能化を達成することができるため、高性能・低電圧・低電流が要求される携帯電話などの移動体通信機器に最適です。 当社は、SiGeエピタキシャル技術と微細化技術を駆使し、従来化合物系半導体でしか成し遂げられなかった超低雑音高周波トランジスタを開発しました。

 新製品は、当社が独自に開発したSiGeバイポーラトランジスタプロセス(オンウェハでの遮断周波数:fT=60GHz)を採用しています。 低雑音タイプ「MT4S100U」は、耐圧で3.5Vを維持しつつ、2GHzでSi系バイポーラトランジスタとして世界最高レベルの低雑音NF=0.7dB(VCE=2V、Ic=5mA)を実現しました。 また、高利得タイプ「MT4S101U」(電力利得S21=17.5dB、Ic=20mA)も同時に製品化します。


新製品の主な概要
開発の背景と狙い
新製品の主な特長
新製品の主な仕様
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