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業界最大の1ギガビットNAND型フラッシュメモリの商品化について

2001年11月12日

多値技術を用いたNAND型フラッシュメモリ

 当社は、米国・サンディスクコーポレーション(本社:カリフォルニア州サニーベール市、代表者:CEOエリ・ハラリ)と共同により、世界で初めて多値技術を利用した1ギガビットNAND型フラッシュメモリを開発・商品化しました。当社は、新技術を採用した1ギガビットのTSOPパッケージ品「TC58010FT」のサンプル出荷を本日から開始します。

 従来、フラッシュメモリの記録方式は、メモリセルごとに「0」か「1」のどちらかを記録する2値技術により1ビットのデータを保持していました。新技術は、メモリセルごとに、「0/0」、「0/1」、「1/0」、「1/1」の4つの値のいずれかをとることにより2ビットのデータを記録することができ、微細化することなく2倍の容量を実現できます。

 新製品は、0.16ミクロンの微細加工技術を利用した512メガビットのNAND型フラッシュメモリに多値化技術を採用し1ギガビットの大容量化を実現しました。また、1ギガビットNAND型フラッシュメモリを2個積層し2ギガビットを実現したTSOPパッケージ品についても開発を進め、今年12月からサンプル出荷を開始する予定です。

 当社は、99年7月にサンディスク社とNAND型フラッシュメモリの共同開発につき包括的提携を結んでおり、新製品はその一環として開発したものです。2000年5月には、両社出資の製造合弁会社フラッシュビジョン社を設立し、今年7月からは同合弁会社を通じて、東芝の子会社である米国・ドミニオン社でもNAND型フラッシュメモリの生産を開始しています。

 なお、新製品は11月12日から16日まで米国・ラスベガスで開催される「COMDEX FALL」に出展します。


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