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半導体メモリ事業の構造改革について

2001年12月18日

 当社は、半導体メモリ事業について、構造改革を進めてきましたが、このたび、汎用DRAMの製造及び販売を終息することとし、当社関連会社であるドミニオンセミコンダクター社(米国・バージニア州)の土地、製造建家およびDRAM関連製造設備を、2002年1月末を目標に、米・マイクロン・テクノロジー社(Micron Technology Inc.)に売却することで、同社と基本合意しました。

 半導体メモリの組立拠点(後工程)については、海外を含む外部企業への製造委託を積極的に進め、コスト改善を図っていきます。これに伴い、主に汎用DRAMの後工程製造を行っている「四日市東芝エレクトロニクス株式会社」は、2002年6月末を目処に解散を含めた体制の見直しをします。

 さらに、意思決定の迅速化と経営効率の向上を図るため、半導体メモリ事業に関する技術、生産管理などの本社機能を、2002年6月末までに四日市地区に集結させます。DRAMの開発機能については、最先端のDRAM混載システムLSIやSoC(システム・オン・チップ)の事業化に必要な技術という観点から、コア技術の開発は継続していきます。

 本施策にともない、当社は四日市工場をメモリ事業の世界拠点と位置付け、米・ドミニオンセミコンダクター社内にある米・サンディスク社(SanDisk Corp.)との合弁会社「フラッシュビジョン社」所有のフラッシュメモリ製造設備は四日市工場内へ移設します。当社の半導体メモリ事業は、NAND型フラッシュメモリを中核に、大容量NOR型フラッシュメモリ、FCRAM、特定顧客向けDRAMなど、アプリケーションを強く意識した、高付加価値のメモリ製品に特化していきます。

 本施策は、本年8月に策定した「01アクションプラン」の一環で、これにより景気変動の影響を受けにくい事業体制を構築し、2002年度には半導体事業の黒字化を目指します。


(添付)東芝、マイクロン・テクノロジー 共同ステイトメント


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