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次世代携帯電話W−CDMA用InGaP系HBTパワーアンプモジュールの商品化について

2002年3月27日

世界最高レベルの効率と待ち受け時間10%延長を可能にした超小型薄型電力増幅器

InGaP系HBTパワーアンプモジュール「S−AL51」

 当社は、次世代携帯電話W−CDMA用超小型薄型電力増幅器モジュールとして、世界最高レベルの電力付加効率47%を実現するとともに待ち受け時間10%延長を可能にしたInGaP系HBT(インジウム・ガリウム・リン系ヘテロ接合型トランジスタ)パワーアンプモジュール「S−AL51」など2品種を製品化します。新製品のサンプル出荷は本日から行い、第3四半期から量産を開始します。また、cdma2000 1x用パワーアンプモジュール「S−AU84」も同時に製品化します。

 当社は、次世代携帯電話向けパワーアンプ用として、独自構造による簡易な製造工程で作製可能なInGaP系HBTを開発しました。HBTの採用と独自の温度補償回路内蔵型バイアス回路によりアイドル電流を40ミリアンペアに抑制したうえで、世界最高レベルの電力付加効率47%を実現しています。さらに、数ナノアンペアという低カットオフ電流の実現により、携帯端末の待ち受け時間の10%延長を可能にしています。新製品は、次世代携帯電話の小型化、低消費電力化、高品質化に最適なパワーアンプです。

新製品の主な概要

新製品の主な概要

開発の背景と狙い

 次世代の携帯電話として注目されているW−CDMAは、複雑な信号処理を行うことにより高速の通信を可能にしますが、信号を電波にして正しく伝えるためには、大きな電流を必要とするため消費電力の大きなパワーアンプが必要です。このため、長時間通信の実現には、消費電力削減という問題がありました。

 当社は、こうしたニーズに対応し、HBTを用い、独自の回路を採用することにより、消費電力が小さく、データを正しく送れるのに適したパワーアンプを開発しました。これにより小型化、高品位を実現するとともに、待ち受け時間の長時間化を可能にしました。

新製品の主な特長

W−CDMA用パワーアンプモジュール

  1. 独自構造による簡易な製造工程で作製可能なInGaP系HBTの採用と、独自の温度補償回路内蔵型バイアス回路により、アイドル電流を40ミリアンペアに抑制したうえで、世界最高レベルの電力付加効率47%を実現しました。

  2. 効率と両立させることが困難な歪みの発生も抑制し、隣接チャネル漏洩電力比−41dBcを達成することにより、通信の高品質化、長時間化に貢献します。さらに、内蔵の温度補償回路により−30℃〜+85℃での利得変化を1.2dBに抑制しており、温度に関する端末設計の負担を大きく軽減します。

  3. HBTはFET系では難しい単一電源動作、低カットオフ電流を実現できますので、数ナノアンペアという低カットオフ電流の実現により、携帯端末の待ち受け時間延長に大きな効果を得ることができます。

  4. 6mmX6mmX1.15mmの超小型薄型パッケージです。

cdma2000 1x用パワーアンプモジュール

 W−CDMA用と同様のHBT、回路技術を用いた国内cdma2000 1x用パワーアンプモジュール「S−AU84」も同時に製品化します。新製品は、最大出力時効率40%、ACPR=−49dBcを実現しています。また、中間電力出力時のDC/DCコンバータ対応で14dBm出力時にはVcc=1.0V動作、95ミリアンペアという低消費電力化を可能にします。受信感度を上げるために重要な受信帯域ノイズも−140dBm/Hzと低雑音化もおこなっており、さまざまなタイプのデュプレクサの使用を可能にしシステムの小型化、コストダウンに貢献します。

新製品の主な仕様

W−CDMA用パワーアンプモジュール
新製品の主な仕様 W−CDMA用パワーアンプモジュール
パッケージサイズ:6mmX6mmX1.15mm(0.04cc)

cdma2000 1x用パワーアンプモジュール
新製品の主な仕様 cdma2000 1x用パワーアンプモジュール
パッケージサイズ:6mmX6mmX1.6mm(0.06cc)

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小信号デバイス応用技術担当
TEL 044(549)8367
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