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東芝、サムスン電子が高速ネットワーク用DRAMのインターフェース仕様の共通化に合意

2002年5月8日

株式会社東芝
サムスン電子株式会社

 株式会社東芝、サムスン電子株式会社は、高速ネットワーク用DRAMのインターフェース仕様を共通化することで合意しました。本共通仕様にもとづくネットワーク用DRAMの製造および販売は各社がそれぞれ独自におこないます。

 東芝は、すでに高速ネットワーク用DRAMとして富士通株式会社と共同開発したDDR FCRAMTM*を256メガビットから商品化しています。また、サムスン電子も、FCRAMTMと互換性のある256メガビットのNetwork−DRAMをサンプル出荷しており、2002年第3四半期から量産します。高速ネットワーク用メモリを採用することで、市場における先行性能と安定的な供給の確保が可能となります。

 これまで、大容量メモリシステムの構築にはSingle−Data−Rate Synchronous DRAM(SDRAM)及びDouble−Data−Rate SDRAMなどのDRAM製品を用いていましたが、インターネットやLANなどのネットワーク環境の急速な発展に伴い、取り扱う情報量が急激に増加しており、高速SRAMの性能に迫る大容量メモリが必要とされてきています。両社はこれらのニーズに応えるため、高速大容量なメモリシステムの構築に最適なメモリとしてネットワーク用DRAMを開発してきました。

 ネットワーク用DRAMは次世代DDR333に比べ50%以上の高速ランダム・リードライトサイクルとレイテンシータイムを実現しています。また、次世代DRAMと同等の高速データ転送を実現し、さらに、レイトライト機能を搭載することによりバス効率の高いメモリシステムを構築することができます。ネットワーク用DRAMはこれらの特長から、ネットワーク機器のバッファメモリに限らず高性能コンピュータシステムのキャッシュ及び高性能メインメモリの構築にも使用することできます。

FCRAMTM:DRAMコアの活性化エリアを絞り込むことによりSRAMに近い高速動作及び低消費電力を特長としたメモリです。主に低消費電力に主眼をおいたものと高速動作を主眼においたものとの2種類があります。なお、FCRAMは富士通株式会社の商標です。


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