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90ナノメートル NAND型フラッシュメモリ・プロセス技術の共同開発について

2002年10月10日

多値技術を用いた4Gb NAND型フラッシュメモリも開発

株式会社 東芝
サンディスクコーポレーション

 株式会社東芝(本社:東京都港区、代表者:岡村 正)とサンディスクコーポレーション(本社:米国カリフォルニア州、CEO:エリ・ハラリ)は、NAND型フラッシュメモリの供給能力増大と競争力強化を図るため、90ナノメートル(nm)のプロセス技術を共同で開発していきます。

 両社は、東芝の最先端NAND型フラッシュメモリ・プロセス技術における卓越した経験と、サンディスクの開発した多値(MLC:Multi-Level Cell)技術をベースに、90nmプロセス技術を用いた2ギガビット(Gb)のNAND型フラッシュメモリと4GbのMLC NAND型フラッシュメモリの早期製品開発をめざします。
 今回開発する4GbのNAND型フラッシュメモリは、1メモリセルあたりのメモリ容量を2倍にする多値技術を2Gb製品に組み込んだものです。4GbのNANDフラッシュメモリをメモリーカードに搭載すれば、例えば、PDA、携帯電話、デジタルカメラなどに高画質の長編ビデオ、数千枚もの高解像度の画像や30時間を越えるデジタル音楽などを記録することができます。

 90nmプロセスを採用したNAND型フラッシュメモリのサンプルは、2003年後半を予定しており、2004年第1四半期(1−3月)に製品化する計画です。

 東芝とサンディスクは、これまでにも大容量のNAND型フラッシュメモリを製品化するため、210nm、160nm及び130nmのプロセス技術の共同開発を行ってきました。両社は、それぞれの技術及びリーディングカンパニーとしての地位を強化し、フラッシュメモリ市場拡大と新規市場開拓を進める上で、90nmプロセス技術を採用したMLC NANDフラッシュの製品化が重要と考えています。今回の90nmプロセス技術の共同開発においても、今までと同様に緊密な協力関係を維持しながら、両社の技術ノウハウを効果的に活用していきます。
 また、両社が開発する90nmのNAND型フラッシュメモリは、両社合弁会社のフラッシュビジョン社(三重県四日市市)で生産する予定です。

 なお、東芝は、NAND型フラッシュメモリの競争力を強化し、新規市場の開拓を進めるため、次世代の70nm及び55nmのプロセス技術についても既に開発を始めており、最先端の技術開発に注力しつづけます。


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