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半導体300ミリウェハー対応投資の実施について

2002年12月13日

 当社は、今後の半導体事業におけるシステムLSIおよびメモリの競争力強化を図るため、工場建設を伴う300ミリウェハー対応投資を実施する基本方針を決定しました。

 300ミリウェハー対応の製造ラインは、システムLSI拠点の大分工場(大分県大分市)、メモリ拠点の四日市工場(三重県四日市市)にそれぞれ建設する計画で、2003年度以降、4年間かけて本投資を実施し、投資総額は約3,500億円の見込みです。

 大分工場で建設するシステムLSIの新棟では、今後需要増大が見込まれるブロードバンド対応などのシステムLSIの量産を行います。ブロードバンド時代には、大容量データを高速処理するLSIが必要となりますが、当社が先行するDRAM混載システムLSI技術を用いるとともに、回路線幅45nmのデザインルール採用も視野に入れた、業界最高性能のシステムLSIの製造を予定しています。着工時期は2003年度、量産開始は、2004年度の計画です。
 また、四日市工場に建設するメモリ新棟では、需要拡大が進むNAND型フラッシュメモリの量産を行います。現在当社は、NAND型フラッシュメモリでは、世界シェアでトップクラスにありますが、新棟建設によって、引き続き競争力を確保するとともに、拡大する需要に応えます。量産開始は2006年度の計画です。

 なお、具体的な投資内容については、市場動向などを見極めたうえで、詳細計画として改めて意思決定する予定です。


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