シリコン系プロセスでＧａＡｓ同等レベルの低雑音を実現

　当社は、昨年度市場参入しましたシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）トランジスタにおいて、微細加工技術とエピタキシャル技術の最適化などによって、今までガリウムヒ素（ＧａＡｓ）製品でしか実現できなかった世界最高レベルの低雑音特性を有する高周波トランジスタを開発しました。本技術をベースとした商品は、本年３月にサンプル出荷を開始し、９月から量産化の予定です。

　受信機に必要なローノイズアンプにおいて、低雑音特性の要求が厳しいものには、従来ＧａＡｓトランジスタが使用されています。今回当社は、価格競争力のあるシリコン基板を用いて高性能化を図っており、ＧａＡｓ製品に対して半分程度の価格で同等の性能を実現します。また、新製品は、世界最小の４ピン面実装小型モールドパッケージの採用などによって、実装面積は従来の４ピン製品の約３５％に縮小できます。
　これによって当社は、ＧＰＳや今後更なる高周波化により市場成長が期待されるワイヤレスＬＡＮ等の通信機器市場への販売拡大をめざします。

開発の背景と狙い

　近年、ＧＰＳは携帯電話の高付加価値化やセキュリティーシステムへの応用により数々の機器に内蔵されるようになりました。また、Ｗ－ＬＡＮなどの通信システムはデータ伝送量の増加により、一層の高周波化かつ高性能化が要求されています。
　従来これらの用途に必要な低雑音・高利得などの特性はＧａＡｓ製品でしか成し遂げられませんでしたが、当社は価格競争力のあるＳｉ系プロセスで実現し、今後市場のニーズに応えた製品への展開を図ります。

代表特性

商品化の予定

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