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世界最高レベルの超低雑音を実現したシリコンゲルマニウム・トランジスタの商品化について

2003年2月3日

シリコン系プロセスでGaAs同等レベルの低雑音を実現

 当社は、昨年度市場参入しましたシリコンゲルマニウム(SiGe)トランジスタにおいて、微細加工技術とエピタキシャル技術の最適化などによって、今までガリウムヒ素(GaAs)製品でしか実現できなかった世界最高レベルの低雑音特性を有する高周波トランジスタを開発しました。本技術をベースとした商品は、本年3月にサンプル出荷を開始し、9月から量産化の予定です。

 受信機に必要なローノイズアンプにおいて、低雑音特性の要求が厳しいものには、従来GaAsトランジスタが使用されています。今回当社は、価格競争力のあるシリコン基板を用いて高性能化を図っており、GaAs製品に対して半分程度の価格で同等の性能を実現します。また、新製品は、世界最小の4ピン面実装小型モールドパッケージの採用などによって、実装面積は従来の4ピン製品の約35%に縮小できます。
 これによって当社は、GPSや今後更なる高周波化により市場成長が期待されるワイヤレスLAN等の通信機器市場への販売拡大をめざします。

開発の背景と狙い

 近年、GPSは携帯電話の高付加価値化やセキュリティーシステムへの応用により数々の機器に内蔵されるようになりました。また、W−LANなどの通信システムはデータ伝送量の増加により、一層の高周波化かつ高性能化が要求されています。
 従来これらの用途に必要な低雑音・高利得などの特性はGaAs製品でしか成し遂げられませんでしたが、当社は価格競争力のあるSi系プロセスで実現し、今後市場のニーズに応えた製品への展開を図ります。

代表特性

1. 世界最高レベルの低雑音特性を達成(超低雑音タイプ)
雑音指数=0.52dB(f=2GHz、VCE=2V、Ic=10mA)
電力利得=17dB(f=2GHz、VCE=2V、Ic=20mA)
2. 5.2GHz帯においても高特性を維持(高周波対応タイプ)
雑音指数=1.16dB(f=5.2GHz、VCE=2V、Ic=5mA)
電力利得=13dB(f=5.2GHz、VCE=2V、Ic=10mA)
雑音指数=0.62dB(f=2GHz、VCE=2V、Ic=5mA)
電力利得=19dB(f=2GHz、VCE=2V、Ic=10mA)

商品化の予定

パッケージサイズ :1.2mm*1.2mm*0.52mm(TESQ)
サンプル出荷開始 :2003年3月 サンプル価格50円
量産開始 :2003年9月 月産500万個

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