東芝トップページ お問い合わせ
新着情報  発表月別  テーマ別
業界最大容量2ギガビットNAND型フラッシュメモリの商品化について

2003年3月13日

2チップ積層した4ギガビット製品も商品化

「TC58DVG14B1FT00

 当社は、130ナノメートルの微細加工技術を採用し、業界最大となる2ギガビットの大容量を実現したNAND型フラッシュメモリを開発しました。メモリカード用に適したTSOPパッケージの製品「TC58DVG14B1FT00」のサンプル出荷を本日から開始し、6月から量産を行います。

 また、2ギガビットのチップを2個積層した4ギガビットのTSOPパッケージの製品も商品化し、4月からサンプル出荷を開始する予定です。4ギガビットの製品をメモリカードに搭載することにより、2ギガバイト(16ギガビット)の大容量カードが実現できます。

 当社は、99年7月に米国・サンディスクコーポレーション(本社:カリフォルニア州サニーベール市、代表者:CEOエリ・ハラリ)とNAND型フラッシュメモリの共同開発について包括的提携を結んでおり、新製品はその一環として開発したものです。新製品の量産は、両社出資の製造合弁会社フラッシュビジョン(東芝四日市工場内)で行います。

新製品の概要

新製品の概要

開発の背景とねらい

 NAND型フラッシュメモリは、大容量のデータを記録するのに適したメモリで、デジタルスチルカメラや携帯情報端末、また半導体メモリを使用したオーディオ製品等のデータ蓄積用に需要が拡大し、より大容量なメモリが求められています。
 こうしたニーズに対応するため、2ギガビット及び4ギガビットのNAND型フラッシュメモリを開発・商品化し、大容量メモリを必要とするカード市場に提供していきます。

新製品の主な特長

1. 最先端0.13ミクロンの微細加工技術を採用していますので、チップサイズを縮小でき、当社の0.16ミクロン技術を採用した1ギガビットの製品と同じパッケージサイズで2ギガビットの大容量を実現しました。
   
2. 積層技術の採用により、2ギガビットNAND型フラッシュメモリを2個積層することで同じパッケージサイズで4ギガビット品も実現しました。この製品の採用により、例えば4チップを搭載した2ギガバイト(16ギガビット)の大容量カードが実現できます。

新製品の主な仕様

新製品の主な仕様

お問い合わせ先

新製品についてのお客様からの
お問い合わせ先
ファイルメモリ営業担当 TEL 03(3457)3420


プレスリリース記載の情報(製品価格/仕様、サービスの内容、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。

▲プレスリリースのトップへ

東芝トップページ 個人情報保護方針 Copyright