東芝トップページ お問い合わせ
新着情報  発表月別  テーマ別
第3世代携帯電話用InGaP系HBTパワーアンプモジュールの発売について

2003年5月29日

国内CDMA向けで最小、最薄パッケージを実現した電力増幅器

 当社は、第3世代携帯電話・CDMA2000 1x用のパワーアンプモジュールとして、4mm角の業界最小パッケージで、世界最高レベルの電力効率40%を実現したInGaP系HBT(インジウム・ガリウム・リン系ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ)「S−AU87」を製品化し、本日からサンプル出荷を開始します。

 新製品は、HBTプロセスの改良や内蔵するバイアス回路の最適化により、待機時の消費電流を業界最小の55mAとしたほか、フリップチップ実装の採用などによりパッケージサイズを業界最小の4mm角としており、携帯電話の小型化、低消費電力化が可能です。

 なお、W−CDMA用のパワーアンプモジュール「S−AL54」も同一サイズのパッケージで、同時に製品化します。

新製品の主な概要

新製品の主な概要

開発の背景と狙い

 高機能化が進む携帯電話には、カメラや大画面液晶など多くの部品が搭載されています。このため、基幹部品の一つであるパワーアンプモジュールにも高性能化に加えて、省スペース化と低消費電力化が求められています。

 当社はこうしたニーズに対応し、高効率化と同時に、パッケージの小型化と低消費電力化を実現した新製品を商品化するものです。

新製品の主な特長

CDMA2000 1X用パワーアンプモジュール

1. InGaP系HBTの採用やプロセス改善により、アイドル電流を55mAに抑制し、世界最高レベルの電力効率40%を実現しました。
   
2. 高効率を維持しながら歪みを抑制し、隣接チャネル漏洩電力比−50dBcを達成しました。これにより、通信の高品質化、長時間化が可能となります。さらに、温度補償回路を内蔵していますので、温度に関する端末設計の負担を大きく軽減します。
   
3. HBTはFET系では難しい単一電源動作、低カットオフ電流を実現できますので、数ナノAという低カットオフ電流の実現により、携帯端末の待受け時間延長に大きな効果を得ることができます。
   
4. 4mmX4mmX1.2mmの超小型薄型パッケージです。

W−CDMA用パワーアンプモジュール

 CDMA2000 1x用と同様のHBT、および回路技術を用いたW−CDMA用パワーアンプモジュール「S−AL54」も同時に製品化します。

1. 新製品は最大出力時効率=44%、ACPR=−41dBcを実現しています。また、中間電力出力時のDC/DCコンバータによる低電圧動作に対応しており、13dBmW出力時にはVcc=1.0V動作で75mAという低消費電力を可能にすることで通信の長時間化に貢献致します。
   
2. 良好な受信感度を確保するために必要な受信帯域ノイズの低減も−140dBmW/Hz以下と低雑音化を行っており、様々なタイプのデュプレクサの使用を可能とすることでシステムの小型化、コストダウンに貢献致します。

新製品の主な仕様

CDMA2000 1X用パワーアンプモジュール
新製品の主な仕様
パッケージサイズ:4mmX4mmX1.2mm(0.019cc)

W−CDMA用パワーアンプモジュール
新製品の主な仕様
パッケージサイズ:4mmX4mmX1.2mm(0.019cc)

お問い合わせ先

新製品についてのお客様からのお問い合わせ先
技術内容について セミコンダクター社 
小信号デバイス応用技術担当
TEL 044(549)8367
技術以外の内容について セミコンダクター社 
小信号デバイス営業担当
TEL 03(3457)3411


プレスリリース記載の情報(製品価格/仕様、サービスの内容、お問い合わせ先、URL等)は、発表日現在の情報です。予告なしに変更されることがありますので、あらかじめご了承ください。最新のお問い合わせ先は、東芝全体のお問い合わせ一覧をご覧下さい。

▲プレスリリースのトップへ

東芝トップページ 個人情報保護方針 Copyright