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90ナノメートルNAND型フラッシュメモリの開発について

2003年6月11日

株式会社 東芝
サンディスクコーポレーション

 株式会社東芝(本社:東京都港区、代表者:岡村 正)とサンディスクコーポレーション(本社:米国カリフォルニア州、CEO:エリ・ハラリ)は、90ナノメートルのプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリに適用するメモリセルの新技術を共同で開発しました。

 従来技術では、電子を蓄積する浮遊ゲートや素子間の分離構造など、メモリセルの部分ごとに最適な加工形状が異なっており、複数のパターンを用いて位置合わせをしながら加工していました。
 このため、微細化が進むにつれパターンの合わせズレの影響を受けやすくなり、110ナノメートルプロセス以降では加工限界になると言われていました。特に素子間を絶縁する仕切りの幅がスリット状に狭い部分ではきちんと絶縁構造を作れないなどの問題がありました。

 新技術では、90ナノメートルプロセスによる微細加工により加工形状を見直したほか、製造プロセスを改善することによって、加工寸法のバラつきを無くしました。これにより、加工時にパターンの合わせズレがない「完全自己整合型」のメモリセルを実現し、加工限界を克服しています。
 また、新技術では、素子の構成領域を同じ幅で作るため、素子間の仕切りの幅も一定にできます。このため、90ナノメートルプロセス以降の微細化にも対応しやすく、縮小性に優れています。さらに、世界最小の0.041マイクロ平方メートルのセルサイズを実現しており、大容量化に適しています。

 新技術を用いて、2ギガビットのNAND型フラッシュメモリを2004年第1四半期(1〜3月)に両社で製品化する予定です。また、多値技術を用いて容量を2倍した4ギガビットの製品もあわせて製品化する予定です。製造は両社合弁会社のフラッシュビジョン社(三重県・四日市市)で行います。
 なお、今回の成果については、6月10日から京都市で開催されているVLSIシンポジウムにおいて本日発表しました。


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