世界最小値のＣＲ積２．５ｐＦΩを実現

　当社は、半導体テスタなど計測機器向けフォトリレーの新製品として、高周波信号の伝達障害の度合いを示すＣＲ積（出力間容量と接点抵抗の積）で世界最小値の２．５ｐＦΩ（ピコファラドオーム）を実現し、従来の２倍以上の高周波となる１ＧＨｚクラスの動作周波数に対応できる「ＴＬＰ３１５０」など２品種を製品化し、本日よりサンプル出荷を開始します。

　フォトリレーは、電話機や計測機器などにおいて回線・回路の切替えを行うリレー部品の一種です。
　新製品は、出力ＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）の設計改善により、高周波信号を伝達する際の障害となる接点抵抗などを抑制しています。これにより、対応周波数の上限を従来の約５００ＭＨｚから約１ＧＨｚに高めています。周波数帯域については従来の２．５倍に拡大しています。

　従来、高周波への対応においては機械的可動部を持つリードリレーなどが適していたものの、接点磨耗によるリレー交換が必要なため、特に回路切替え頻度が高い高性能の計測機器ではメンテナンスの負担が大きい問題がありました。
　新製品は、メンテナンスが不要で高周波信号にも対応できるため、高性能の計測機器にも適用できる仕様となっています。

新製品の主な概要

開発の背景と狙い

　計測機器においては、経路切替用として多数のリレーが用いられており、リードリレーや水銀リレーなどのメカニカルリレーが普及しています。しかし、リードリレーは接点磨耗による交換頻度が高いなどの問題があり、水銀リレーは水銀使用削減の観点から採用の抑制が進んでいます。
　これに対しフォトリレーは機械的な接点開閉ではなく、半導体であるMOSFETを用いて接点開閉の機能を実現しているため、メンテナンスフリー、水銀レスに加えて、高速動作、小型パッケージの特長があり、代替品として採用が進んでいます。
　一方フォトリレーは、接点間のアイソレーション特性やオフ時リーク電流、接点抵抗の性能がメカニカルリレーに劣ると言われ、アイソレーション特性を左右するMOSFET出力間のオフ時容量Ｃ、接点抵抗はMOSFETのオン時抵抗Ｒを掛け合わせたＣＲ積を低減することが課題となっていました。従来のフォトリレーのＣＲ積は１０～５pFΩでしたが、高周波を用いる高性能な計測機器ではより低減させることが求められています。
　こうした状況を受け、当社では、ＣＲ積を２．５pFΩに半減させ、高性能な計測機器に適した新製品を製品化するものです。

新製品の主な特徴

新製品の主な仕様

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