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次世代光ディスク向け青紫色半導体レーザの開発について

2003年10月2日

200mWの高出力と世界で最も優れた低ノイズ特性を実現

 当社は、次世代光ディスク向けに200mWの高出力と、世界で最も優れた低ノイズ特性を実現した窒化ガリウム(GaN)系青紫色半導体レーザを開発しました。
 今回開発した高出力のレーザを用いれば、大量のデータを高速に記録でき、大容量化に不可欠な片面二層ディスクにも対応できます。

 今回の開発では、活性層とその周辺の不純物濃度を高精度に制御して発光効率を向上させたほか、レーザ出射口に独自のコーティングを施したことにより、高出力化を図るとともに相対雑音強度を世界最小の−132dB/Hzとし、世界で最も優れた低ノイズ特性を実現しています。
 また、電極形成時に独自のプロセスを取り入れ、光が発生する活性領域に送り込む電流が均一となる素子構造を形成できるため、安定した出力でビーム形状に乱れの少ない特性となっています。

 青紫色半導体レーザは、次世代の高密度光ディスクを用いた機器のキーデバイスといわれており、正しく高速にデータの書き込み・読み出しを行うための高出力化、低ノイズ化のほかビーム形状の高い制御性などが要求されています。今回開発した青紫色半導体レーザはいずれのニーズにも最適なものとなっています。
 今回の開発成果は、10月7日から幕張メッセで開催されるCEATEC JAPAN2003において技術展示を行う予定です。

主な特性

主な特性


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