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世界最高速の3.2ギガヘルツでのデータ転送を実現した512メガビットXDR(TM*) DRAMの開発について

2003年12月25日

XDR(TM)DRAM 「TC59YM916AMG32A」

 当社は、世界最高速の3.2ギガヘルツでのデータ転送を実現した、大記憶容量512メガビットXDRTM* DRAM「TC59YM916AMG32A」など3品種を世界に先駆けて開発し、本日よりサンプル出荷を開始します。

 本製品は、ラムバス社からのライセンス契約技術に基づいて開発を行い、コントローラからメモリに送られる基準信号の1クロックに対して、8つのデータの入出力を行うODR(Octal Data Rate)を用いることなどで、現在市販されている高性能PC用メモリと比較して、8倍のデータ転送速度を実現しました。このため、本製品はホームサーバー等のデジタルコンシューマ機器、高性能三次元グラフィックボード、ネットワーク機器など、瞬時に膨大なデータ処理が要求される幅広い製品への応用が期待されます。

 当社は、メモリ分野ではフラッシュメモリやMCPに加えて、高性能カスタムDRAM開発にも注力していきます。

*: XDRTMは日本並びにその他の国における商標並びに登録商標です。

新製品の概要

新製品の概要

開発の背景と狙い

 コンピュータやデジタルコンシューマ機器の発展により、高性能デジタル機器で取り扱う演算データや二次元及び三次元画像データの処理量が膨大になってきており、これらの情報を短時間にリアルタイムで処理するためには、大容量で高速なメモリと高性能のマイクロプロセッサをpin-to-pinで高速に接続することが必要になってきます。今後インターネットやネットワークの発展に伴って、さらにブロードバンド化が加速し、接続される機器に求められるデータ処理能力が飛躍的に高まることで、瞬時に大容量のデータを読み書きできるメモリの需要が益々高まっていくものと思われます。
 当社はこれらのニーズに応えるため、様々な高性能デジタル機器に対応できるメモリソリューションとして、大容量・高バンド幅メモリシステムの構築に最適な512メガビットXDRTM* DRAMを製品化したものです。

新製品の主な特長

1. 世界で初めてDRAMに0.2Vの小振幅差動信号(DRSL)をデータバスに用い、400MHzクロック信号に同期して8つのデータを転送することで、1つのI/Oから3.2ギガヘルツの超高速スピードでのデータ入出力を可能にしました。
2. パッケージは低層数PCB基板にも対応可能な、1.27mm X0.8mmピッチのBGAパッケージを採用しています。

新製品の主な仕様

新製品の主な仕様

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