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45ナノメートル・システムLSIのプロセス技術における共同開発について

2004年2月12日

ソニー株式会社
株式会社 東芝

 ソニー株式会社(以下、ソニー)と株式会社東芝(同、東芝)は、45ナノメートル世代のシステムLSIにおける最先端プロセス技術を共同開発することで合意しました。

 最先端システムLSIには、大容量画像データの高速処理など高性能化や高機能化に加え、小型化や低消費電力化、DRAM混載など様々な技術が要求され、実現するためのプロセス技術は一層難易度を増しています。

 両社は、2001年から最先端65ナノメートル世代のシステムLSIプロセス技術の共同開発を進めており、既に同プロセスを用いた量産技術を確立し、量産に向けた設備導入などを開始しています。

 今回の合意は、65ナノメートル・プロセス技術の共同開発における両社の経験を、さらに高度な技術が要求される次世代45ナノメートル・プロセス技術開発に生かすことで、次世代技術の早期実現を目指すものです。共同開発では、両社あわせて約200億円の開発費を投入し、横浜市にある東芝のアドバンストマイクロエレクトロニクスセンターおよび東芝大分工場に約150名の技術者を集結させ、2005年末までの開発完了を目指します。


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