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業界最大容量の4ギガビットNAND型フラッシュメモリの製品化について

2004年4月6日

2チップ積層した8ギガビットNAND型フラッシュメモリも製品化

NAND型フラッシュメモリ「TC58NVG2D4BFT00」

 当社は、需要が急拡大している大容量メモリカード向けに、最先端90ナノメートルプロセスの微細加工技術と多値技術を用いた業界最大容量4ギガビットNAND型フラッシュメモリ「TC58NVG2D4BFT00」を製品化します。サンプル出荷を今月下旬から開始し、本年第3四半期から月産30万個規模で量産を行います。

 NAND型フラッシュメモリは、大容量データを記録するのに適しており、デジタルスチルカメラや多機能携帯電話端末、半導体メモリを使用したオーディオ製品向けなどに需要が急激に拡大しており、更なる大容量化が求められています。
 新製品は、ページサイズの拡張やメモリセル制御システムの最適化により、当社従来の多値製品に比べ約8倍の書込み速度高速化を実現しています。また、4ギガビットNAND型フラッシュメモリを2個積層させることで、1パッケージで8ギガビットの大容量を実現したTSOP*2パッケージ品についても製品化する予定です。この新製品により4ギガバイトの大容量カードの実現が可能となります。さらに4ギガビットNAND型フラッシュメモリを4個積層させた16ギガビット品についても、本年第3四半期にサンプル出荷を開始する予定です。

 当社は、1999年に米国・サンディスクコーポレーション(本社:カリフォルニア州サニーベール市、代表者:CEOエリ・ハラリ)とNAND型フラッシュメモリの共同開発について包括的に提携をしており、新製品はその一環として開発したものです。新製品の量産は、両社出資の製造合弁会社であるフラッシュビジョン(東芝四日市工場内)で行います。

* : 当社従来の多値製品:「TC58DVG14B1FT00」0.13μmプロセスを用いたチップ。
*2: TSOP(Thin Small Outline Package)リードがパッケージの2側面から取り出され、かつガルウイング型に成形されたもので、パッケージの厚さが1.27mm以下のパッケージの名称。

新製品の概要

新製品の概要

開発の背景とねらい

 NAND型フラッシュメモリは、大容量のデータを記録するのに適したメモリで、デジタルスチルカメラや携帯情報端末、また半導体メモリを使用したオーディオ製品などのデータ蓄積用に需要が拡大し、より大容量なメモリが求められています。
 こうしたニーズに対応するため、4ギガビット及び8ギガビットのNAND型フラッシュメモリを開発・商品化し、大容量メモリを必要とするカード市場に提供していきます。

新製品の主な特長

1. 最先端90ナノメートルプロセスの微細加工技術を採用していますので、チップサイズを縮小でき、また、多値技術を用いることで当社の0.13ミクロン技術を採用した1ギガビット品と同じパッケージサイズで4ギガビット品を実現しました。
2. ページサイズの拡張、制御システムの適正化により、当社従来の多値製品に比べ約8倍の書込み速度高速化を実現しています。
3. 積層技術の採用により、4ギガビットNAND型フラッシュメモリを2個積層することで同じパッケージサイズで8ギガビット品も実現しました。この製品により4ギガバイトの大容量カードの実現が可能となります。

新製品の主な仕様

新製品の主な仕様

お問い合わせ先

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メモリ営業部
ファイルメモリ営業担当
TEL 03(3457)3420


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