世界初の45ナノメートルプロセス世代のシステムLSI技術の開発について 2004年6月16日
当社は、45ナノメートル(nm)プロセス世代のシステムLSIを実現するための要素技術として、高性能MOSFET(MOS型電界効果トランジスタ)および多層配線技術を開発しました。 システムLSIは、コンシューマ機器やモバイル・通信機器のデジタル化の進展や複合・融合化により、さらなる高機能化、高性能化が求められています。これを実現するために次世代、次々世代の微細化の開発が進展していますが、微細化の世代が進むにつれ、動作周波数(パフォーマンス)の向上と消費電力の低減を両立することが難しくなっています。 今回の要素技術の開発により、当社は、45nmプロセス世代のシステムLSIの実現に一歩近づきました。 また、45nmプロセス世代のシステムLSIについては、今回当社が開発した要素技術に加え、メモリ混載技術や更なる性能向上に向けた開発を現在ソニーグループと共同で開発しております。 なお、今回の成果は、6月15日から米国ハワイ州で開催されているVLSIシンポジウムにおいて発表しました。 技術の概要
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