株式会社　東芝
日本電気株式会社

　株式会社東芝（以下、東芝）と日本電気株式会社（以下、ＮＥＣ）はこのたび、次々世代の４５ｎｍ（ＩＴＲＳの６５ｎｍ相当）^＊ＬＳＩの製造に使用する、フォトマスク（回路原板）欠陥検査装置の技術を開発する合弁会社を設立することで合意しました。
　新会社は東芝のマイクロエレクトロニクスセンター（川崎市）内に設立し、両社の開発リソースを集中させ、２００５年度中に開発完了を目指します。

　欠陥検査装置は、マスクパターンの投影像から微小な欠陥を検出するもので、微細なＬＳＩ生産の歩留まり向上においてますます重要性を増しています。
　新会社では、微細化に対応して光源の波長がこれまでより６０ｎｍ短い１９８．５ｎｍの遠紫外線を採用した装置の実用化技術を開発します。

　東芝とＮＥＣは、２００１年度から４５ｎｍ対応のマスク欠陥検査向けに、光学技術や欠陥検出技術などの基本技術を共同開発していますが、新会社設立により、実際の装置に組み込むための実用化技術の開発を本格化します。

新会社の概要