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半導体マスク欠陥検査技術開発の合弁会社設立について

2004年8月11日

株式会社 東芝
日本電気株式会社

 株式会社東芝(以下、東芝)と日本電気株式会社(以下、NEC)はこのたび、次々世代の45nm(ITRSの65nm相当)LSIの製造に使用する、フォトマスク(回路原板)欠陥検査装置の技術を開発する合弁会社を設立することで合意しました。
 新会社は東芝のマイクロエレクトロニクスセンター(川崎市)内に設立し、両社の開発リソースを集中させ、2005年度中に開発完了を目指します。

 欠陥検査装置は、マスクパターンの投影像から微小な欠陥を検出するもので、微細なLSI生産の歩留まり向上においてますます重要性を増しています。
 新会社では、微細化に対応して光源の波長がこれまでより60nm短い198.5nmの遠紫外線を採用した装置の実用化技術を開発します。

 東芝とNECは、2001年度から45nm対応のマスク欠陥検査向けに、光学技術や欠陥検出技術などの基本技術を共同開発していますが、新会社設立により、実際の装置に組み込むための実用化技術の開発を本格化します。

nm:ナノメートル(ナノは10億分の1)
システムLSIなどロジックLSIでいう45nm世代は、国際半導体ロードマップ(ITRS)で2007年の実用化が予想されている65nmプロセスに相当します。

新会社の概要

・社名   アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー(略称:AMIT)
・発足日   2004年8月16日
・所在地   神奈川県川崎市幸区小向東芝町1番地
・代表者   社長 臼田 欣也
(株式会社東芝 プロセス技術推進センター長附)
・資本金   9,000万円(出資比率:東芝55%、NEC45%)


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