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東芝四日市工場における300ミリウェハー対応新製造棟の竣工について

2005年2月21日

東芝四日市工場(左奥の大きな建物が300mmウェハー対応の新製造棟
 
東芝四日市工場 300mmウェハー対応新製造棟
     
東芝四日市工場 300mmウェハー対応新製造棟
 
東芝四日市工場 300mmウェハー対応新製造棟

株式会社 東芝
サンディスクコーポレーション

 株式会社東芝(本社:東京都港区、代表者:岡村正)とサンディスクコーポレーション(本社:米国カリフォルニア州、CEO:エリ・ハラリ)は、デジタル家電を中心とした幅広いアプリケーションへの搭載で需要が急速に伸長しているNAND型フラッシュメモリの増産と競争力強化を図るため、東芝のメモリ生産拠点である四日市工場(三重県四日市市)内に、生産効率の高い300ミリウェハーに対応した新製造ラインの準備を進めておりますが、このたび新製造棟が完成し、本日竣工式を行いました。

 新製造棟では、2005年後半に90nmプロセス技術を用いたNAND型フラッシュメモリの量産を前倒して開始し、年末までに月産10,000枚規模に立ち上げていきます。その後2007年前半には月産40,000枚に生産規模を拡大する計画で、生産するウェハーは両社で均分します。なお、新製造棟はさらなる生産設備の追加等によって、月産62,500枚までの生産に対応できるスペースを有しています。

 新製造棟にかかる投資は、2006年度までに総額約2,700億円を見込んでおり、市況を見極めながら段階的に投資を実施していく計画です。このうち製造装置については、当社とサンディスクコーポレーションが共同で出資するFlash Partners有限会社の設備として導入します。

 両社では、NAND型フラッシュメモリの競争力を確保するために最先端プロセスの製品開発にも注力しており、本年夏には既存の200ミリウェハー対応の製造棟で70nmプロセスを用いた8ギガビット製品の生産を開始します。300ミリウェハーを用いる新製造棟でも微細化のスケジュールを前倒し、2006年前半から70nmプロセスに、2006年秋には次々世代55nmプロセスに移行する計画です。

 NAND型フラッシュメモリは、プロセスの微細化によるコストダウンや、東芝とサンディスクが先行する多値技術による大容量化が進んだことで、デジタルカメラをはじめ、カメラ付き携帯電話や、各種メモリカード、MP3プレーヤー、USBメモリなど幅広いアプリケーションにおいて需要が拡大し、ビット成長は年2倍を超えています。市場規模も年率30%以上の伸長が続き、2004年の約7,000億円から、2008年には約2兆1,000億円に達するものと推定しています。

nm:ナノメートル。10-9

新製造棟の概要

名称 第3クリーンルーム
建物構造 鉄骨造5階建
建家面積 約 24,300m2
延床面積 約113,000m2
クリーンルーム面積 約 34,500m2
着工 2004年 4月
建物完成 2004年12月
量産開始  2005年後半(予定)

四日市工場の概要

所在地 三重県四日市市山之一色町800
設立 1992年(平成4年)
工場長 大島 次郎(おおしま じろう)
従業員数 約  1,950名
敷地面積 約312,000m2
延床面積 約180,000m2
(上記延床面積には、新製造棟は含みません。)

Flash Partners 有限会社の概要

所在地 三重県四日市市山之一色町800
設立 2004年(平成16年)9月
代表者 成毛 康雄(なるけ やすお)
資本金 15百万円
出資比率 東芝:50.1%  サンディスク:49.9%

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