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省エネタイプのパワー半導体の発売について

2005年3月23日

スーパージャンクション構造を採用

TK15A60S

 当社は、テレビなど家電機器の電源部やACアダプター内での電力変換用に、動作時の抵抗が小さいスーパージャンクション構造の採用により、動作時の抵抗(オン抵抗)による電力損失を従来の約40%に抑えたパワーMOSFET(電界効果型トランジスタ)の新製品「TK15A60S」を商品化します。
 新製品のサンプル出荷は本日から開始し、4月から月産100万個の規模で量産を開始します。

 スーパージャンクション構造は、シリコン基板上の素子に電流が流れやすい垂直方向の通電経路を作ることでシリコンの理論限界以上の低抵抗化を実現する手法です。
 新製品は、同構造の採用をはじめとする全般的な構造の最適化により、動作時の面積当たりの抵抗を当社従来比で約60%低減したほか、動作遅延の要因となるゲート電荷を約40%低減しています。
 これにより、MOSFETの性能指数であるRon・Qg特性を、当社従来製品に比べ1/4に低減しています。

 今回、当社は素子中に溝を掘る独自のDTMOS(Deep Trench MOSFET)技術によりスーパージャンクション構造の実用化を図っており、DTMOS技術によるスーパージャンクション構造パワーMOSFETの製品化は業界初となります。

素子の性能に関わるオン抵抗とゲート電荷の値を掛け合わせた値。値が小さい方が性能が良いことを示す。

新製品の概要

新製品の概要

開発の背景と狙い

 近年、民生用の電子機器では、省エネ対応や機器の小型化へのニーズが増大しており、電源部に用いるパワーMOSFETのオン抵抗を低減して電源効率を向上することが求められています。こうしたニーズに対応し、当社は、これまでのパワーMOSFETの開発、製造技術の蓄積を生かし、今回新たにDTMOSプロセス技術により電源効率を向上できる新製品を商品化するものです。

新製品の主な特長

1. スーパージャンクション構造の採用により、オン抵抗最大値0.3Ωを達成しています。
スーパージャンクション構造を用いたMOSFETの製品化は国内では初、DTMOS技術によるスーパージャンクション構造を用いたMOSFETの製品化は業界初となります。
   
2. 最大0.3Ωの低オン抵抗と低ゲート電荷を両立し、Ron・Qg特性について当社従来比で1/4化を実現しました。これにより、応用製品の効率改善、小型化を実現します。
   
3. 市場で実績のあるTO−220SISパッケージを採用しており、従来製品からの置き換えが容易です。

新製品の主な仕様

新製品の主な仕様

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