省エネタイプのパワー半導体の発売について 2005年3月23日
当社は、テレビなど家電機器の電源部やACアダプター内での電力変換用に、動作時の抵抗が小さいスーパージャンクション構造の採用により、動作時の抵抗(オン抵抗)による電力損失を従来の約40%に抑えたパワーMOSFET(電界効果型トランジスタ)の新製品「TK15A60S」を商品化します。 スーパージャンクション構造は、シリコン基板上の素子に電流が流れやすい垂直方向の通電経路を作ることでシリコンの理論限界以上の低抵抗化を実現する手法です。 今回、当社は素子中に溝を掘る独自のDTMOS(Deep Trench MOSFET)技術によりスーパージャンクション構造の実用化を図っており、DTMOS技術によるスーパージャンクション構造パワーMOSFETの製品化は業界初となります。
新製品の概要
開発の背景と狙い
近年、民生用の電子機器では、省エネ対応や機器の小型化へのニーズが増大しており、電源部に用いるパワーMOSFETのオン抵抗を低減して電源効率を向上することが求められています。こうしたニーズに対応し、当社は、これまでのパワーMOSFETの開発、製造技術の蓄積を生かし、今回新たにDTMOSプロセス技術により電源効率を向上できる新製品を商品化するものです。
新製品の主な特長
新製品の主な仕様
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