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世界最高速の6.4ギガヘルツでのデータ転送を実現した第二世代品 512メガビットXDR(TM)(*) DRAMの開発について

2005年3月30日

XDR(TM)DRAM「TC59YM916BKG」

 当社は、世界最高速の6.4ギガヘルツでのデータ転送を実現した、記憶容量512メガビットXDRTMDRAM「TC59YM916BKG」(第二世代品)を世界に先駆けて開発し、このたびサンプル出荷を開始しました。

 本製品は、ラムバス社からのライセンス契約技術に基づいて開発を行い、コントローラからメモリに送られる基準信号の1クロックに対して8つのデータの入出力を行うODR(Octal Data Rate)を用いることなどで、電源電圧1.8Vで4.8ギガヘルツの転送速度を実現し、更に最大6.4ギガヘルツの動作を確認しました。この転送速度は533メガヘルツの高性能PCメモリと比較して12倍、1.6ギガヘルツのグラフィクス向けメモリと比較しても4倍となります。これにより、本製品はデジタルコンシューマ機器、高性能三次元グラフィックボード、ネットワーク機器など、瞬時に膨大なデータ処理が要求される幅広い製品への応用が期待されます。

 当社は、メモリ分野ではフラッシュメモリやMCPに加えて、高性能DRAMの開発にも注力していきます。

XDRTMは日本並びにその他の国における商標並びに登録商標です。

新製品の概要

品番 TC59YM916BKG
構成 4MワードX8バンクX16ビット (ビット構成(4/8/16ビット)は設定により変更可能)
最大データ転送速度 4.8ギガヘルツ(電源電圧1.8V)

開発の背景と狙い

 コンピュータグラフィックスやデジタルコンシューマ機器の発展により、高性能デジタル機器で取り扱う演算データや二次元及び三次元画像データの処理量が膨大になってきており、これらの情報を短時間にリアルタイムで処理するためには、大容量で高速なメモリと高性能のマイクロプロセッサをpin-to-pinで高速に接続することが必要になってきます。今後、インターネットやネットワークの発展に伴って、更にブロードバンド化が加速し、接続される機器に求められるデータ処理能力が飛躍的に高まることで、瞬時に大容量のデータを読み書きできるメモリの需要が益々高まっていくものと思われます。
 当社はこれらのニーズに応えるため、様々な高性能デジタル機器に対応できるメモリソリューションとして、大容量・高バンド幅メモリシステムの構築に最適な第二世代 512メガビットXDRTMDRAMを製品化したものです。

新製品のおもな特長

1. 世界で初めてDRAMのデータバスに0.2Vの小振幅差動信号(DRSL)を用い、電源電圧1.8V時には600MHzクロック信号に同期して8つのデータを転送することで、1つのI/Oから4.8ギガヘルツの高速データ入出力を実現し、更に最大800MHzクロック信号に同期して6.4ギガヘルツの動作を確認しました。
   
2. パッケージは低層数PCB基板にも対応可能な、1.27mmX0.8mmピッチのBGAパッケージを採用しています。

新製品のおもな仕様

新製品のおもな仕様

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カスタムメモリ・マーケティング担当
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